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01.11.2003

BFS 20

High Frequency Transistors

NPN

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage

NPN

Power dissipation – Verlustleistung

250 mW

Plastic case

SOT-23

Kunststoffgehäuse

(TO-236)

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Dimensions / Maße in mm

1 = B

2 = E

3 = C

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Maximum ratings (T

Grenzwerte (T

BFS 20

Collector-Emitter-voltage

B open

V

CE0

20 V

Collector-Base-voltage

E open

V

CB0

30 V

Emitter-Base-voltage

C open

V

EB0

4 V

Power dissipation – Verlustleistung

P

tot

Collector current – Kollektorstrom (DC)

I

C

25 mA

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom

I

CM

25 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

T

j

150

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T

S

- 65…+ 150

Characteristics (T

Kennwerte (T

Min.

Typ.

Max.

Collector - Base cut-off current – Kollektorreststrom

I

I

CB0

–

–

100 nA

I

CB0

–

–

10

Emitter - Base cut-off current – Emitterreststrom

I

I

EB0

–

–

100 nA

1.1

0.4

1

2

3

Type

Code

1.9