Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten

354

28.02.2002

DAN 208 / DAP 208 (1.2 W)

Silicon-Twin Diodes

Silizium-Doppeldioden

Center tap

Mittelpunktschaltung

Nominal power dissipation

1.2 W

Nenn-Verlustleistung

Repetitive peak reverse voltage

150 V

Periodische Spitzensperrspannung

3 Pin-Plastic case

8.5 x 3.5 x 6.6 [mm]

3 Pin-Kunststoffgehäuse

Weight approx. – Gewicht ca.

0.6 g

Dimensions / Maße in mm

Standard packaging: bulk

see page 22

Standard Lieferform: lose im Karton

s. Seite 22

"DAP": common anodes / gemeinsame Anoden

"DAN": common cathodes / gemeinsame Kathoden

Maximum ratings

Grenzwerte

Type

Typ

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

V

Surge peak reverse voltage

Stoßspitzensperrspannung

V

DAN 208

100

150

DAP 208

100

150

Max. average forward rectified current, R-load,

T

for one diode operation only

I

FAV

for simultaneous operation

I

FAV

Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last,

T

für eine einzelne Diode

I

FAV

bei gleichzeitigem Betrieb

I

FAV

Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave

T

FSM

10 A

Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle