ECH8608 datasheet(5/6 Pages) ETC

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ECH8608

No.8179-5/6

048

--9

--10

--6

--8

--7

--4

--5

--2

--1

--3

総ゲート電荷量, Qg -- nC

VGS -- Qg

IT04375

A S O

ドレイン・ソース電圧, VDS -- V

--100

--10

--1.0

--0.1

--0.01

--1.0

5 7

--10

--0.01

--0.1

5 7

IT04376

ドレイン電流, ID -- A

SW Time -- ID

IT04373

Ciss, Coss, Crss -- VDS

0--2

--4

--6

--8

--10

--12

--14

--16

--18

--20

100

1000

ドレイン・ソース電圧, VDS -- V

IT04374

IDP= --40A

ID= --4A

100ms

operation

1ms

10ms

＜10µs

Ta=25°C

1パルス

セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時 1unit

Operation in this

area is limited by RDS(on).

VDS= --10V

ID= --4A

Ciss

Crss

Coss

f=1MHz

--0.1

--1.0

100

VDD= --10V

VGS= --4.5V

td(on)

td(off)

t r

[Pch]

[Nch]

0.1

1.0

100

ドレイン電流, ID -- A

SW Time -- ID

IT04391

Ciss, Coss, Crss -- VDS

02468

14161820

100

1000

ドレイン・ソース電圧, VDS -- V

IT04392

f=1MHz

Ciss

Crss

Coss

VDD=10V

VGS=4V

td(on)

td(off)

t r

010

515

総ゲート電荷量, Qg -- nC

VGS -- Qg

IT04393

A S O

ドレイン・ソース電圧, VDS -- V

100

1.0

0.1

0.01

1.0

5 7

0.01

0.1

5 7

IT04394

IDP=40A

ID=6A

100ms

operation

1ms

10ms

＜10µs

Ta=25°C

1パルス

セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時 1unit

Operation in this

area is limited by RDS(on).

VDS=10V

ID=6A

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