2SC5625 datasheet(1/4 Pages) ETC

Part #	2SC5625

Description	SILICON EPITAXIAL

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2SC5625

シリコンNPNエピタキシァル形

低周波電力増幅用

概要

2SC5625超小形外形樹脂封止形シリコンNPNエピタキシァル

形トランジスタで、高耐圧に設計、製造されております。

セットの小型化、高密度実装用として幅広くご使用いただけま

す。

特長

・超小形外形のため、セットの小型化、高密度実装が可能

用途

ハイブリッドＩ

Ｃ，DC-DCコンバータ用

最大定格 (Ta=25 ℃)

記号

項目

測定条件

特性値

最小

標準

最大

単位

電気的特性 (Ta=25℃)

・コレクタ飽和電圧が低い

VCE(sat)=0.5V 最大

V(BR)CBO

I CBO

I EBO

VCE(sat)

fT

Cob

hFE

I C=50μA, I E=0

VCB= 300V, I E=0

VEB=5V, I C=0

VCE=10V, I C=10mA

I C=100mA, I B=10mA

VCE=6V, I E=-10mA

VCB=6V, I E=0, f=1MHz

300

60

40

3.0

0.5

V

μA

V

MHz

pF

μA

コレクタ・ベース降伏電圧

コレクタしゃ断電流

エミッタしゃ断電流

コレクタ・エミッタ飽和電圧

利得帯域幅積

コレクタ出力容量

直流電流増幅率

V(BR)CEO

I C=1mA, RBE=∞

コレクタ・エミッタ降伏電圧

300

V(BR)EBO

I E=50μA, I C=0

エミッタ・ベース降伏電圧

7

V

305

電極接続

1

: ベ−ス

2

: エミッタ

3

: コレクタ

外形図

単位 :mm

1.5

0.5

2.5

1

2

3

EIAJ : SC-59

JEDEC : TO-236 類似

マ−キング図

U W

形名略称

hFE アイテム

VCBO

VEBO

VCEO

I C

PC

Tj

Tstg

7

300

100

+125

-55~+125

V

mA

mW

℃

記号

項目

コレクタ・ベ−ス間電圧

コレクタ電流

コレクタ損失

接合部温度

保存温度

定格値

単位

エミッタ・ベ−ス間電圧

コレクタ・エミッタ間電圧

300

150

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