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D3CE60K Datasheet(PDF) 2 Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

Part # D3CE60K
Description  Fast Recovery Diode
PDF  4 Pages
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Manufacturer  SHINDENGEN [Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd]
Direct Link  http://www.shindengen.co.jp/
Logo SHINDENGEN - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

D3CE60K Datasheet(HTML) 2 Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

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background image
＊Si
newaveは50Hzで測定しています。
＊ 50Hzsi
newavei
susedf
ormeasur
ement
s.
D3CE60K
■特性図 CHARACTERI
STI
C DI
AGRAMS
１cycle
１０ms１０ms
Sine wave
Non-repetitive
Tj＝２５℃
順方向特性
Forward Voltage
０
０．
５１
１.５
２
２.５
Forward Voltage VF〔V〕
Tl＝１５０℃（MAX）
Tl＝１５０℃（TYP）
Tl＝２５℃（MAX）
Tl＝２５℃（TYP）
Pulse measurement
１
１０
０.１
２０
Pulse measurement
Tl＝１５０℃（TYP）
Tl＝１２５℃（TYP）
Tl＝１００℃（TYP）
Tl＝７５℃（TYP）
Tl＝５０℃（TYP）
Tl＝２５℃（TYP）
逆方向特性
Reverse Current
０.０１
０.００５
０.１
２００
１００
１０
１
０
１００
４００
５００
２００
３００
６００
Reverse Voltage VR〔V〕
D＝tp/T
T
tp
IO
Tj＝１50℃
順電力損失曲線
Forward Power Dissipation
５
７
６
４
２
１
３
０
DC
D＝０．
８
０．
５
０．
３
０．
２
０．
１
０．
０５
SIN
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
０
２４
３
５
１
０
０．
２
０．
６
０．
４
０．
８
１
ディレーティングカーブ
Derating Curve
０
２０４０８０
１６０
１４０
１２０
６０１００
Ambient Temperature Ta〔℃〕
DC
SIN
０．
５
０．
３
０．
２
０．
１
０．
０５
D＝０．
８
on glass-epoxi substrate
基板
Soldering land 1.4mm×2.1mm
Conductor layer 35μm
2インチ基板実装
銅箔パターン面積32mm2
０
IO
D＝tp/T
T
tp
０
VR
VR＝VRM
０
０．
２
０．
６
０．
４
０．
８
１.４
１.２
１
ディレーティングカーブ
Derating Curve
０
２０４０８０
１６０
１４０
１２０
６０１００
Ambietnt Temperature Ta〔℃〕
DC
SIN
０．
５
０．
３
０．
２
０．
１
０．
０５
D＝０．
８
on glass-epoxi substrate
基板
Soldering land 1.4mm×2.1mm
Conductor layer 35μm
2インチ基板実装
銅箔パターン面積160mm2
０
IO
D＝tp/T
T
tp
０
VR
VR＝VRM
０
１
３
２
４
５
ディレーティングカーブ
Derating Curve
０
２０４０８０
１６０
１４０
１２０
６０１００
Lead Temperature Tl 〔℃〕
DC
SIN
０．
５
０．
３
０．
２
０．
１
０．
０５
D＝０．
８
０
IO
D＝tp/T
T
tp
０
VR
VR＝VRM
せん頭サージ順電流耐量
Peak Surge Forward Capability
６０
５０
４０
３０
２０
１０
０
Number of Cycles〔cycle〕
１
１００
１０
せん頭サージ順電流耐量
Peak Surge Forward Capability
６０
４０
８０
１２０
１００
２０
０
Pulse Width tp〔ms〕
１
１０
tp
Sine wave
Non-repetitive
Tj＝２５℃
Peak Surge Forward Current Derating
vs Junction Temperature
せん頭サージ順電流減少率 - 接合部温度
１００
０
６０
８０
４０
２０
０
２５
５０
７５
１００
１２５
１５０
Junction Temperature Tj〔℃〕
１０
１００
１
６0０
接合容量
Junction Capacitance
１００
１
１０
Reverse Voltage VR〔V〕
f＝１MHz
Tl＝２５℃
TYP
過渡熱抵抗
Transient Thermal Impedance
１０
１００
１０００
０.０１
１
０.１
１０-4
１０-2
１０-3
１０-1
１０0
１０1
１０３
１０2
Time t〔s〕
θjl
θjl
θja
θja
on glass-epoxi substrate
基板
Soldering land 1.2mm
Conductor layer 35μm
銅箔パターン面積32mm2
過渡熱抵抗
Transient Thermal Impedance
１０
１００
１０００
０.０１
１
０.１
１０-4
１０-2
１０-3
１０-1
１０0
１０1
１０３
１０2
Time t〔s〕
θjl
θjl
θja
θja
on glass-epoxi substrate
基板
Soldering land 1.2mm
Conductor layer 35μm
銅箔パターン面積160mm2
www.
s
hi
ndengen.
co.
j
p/
pr
oduct
/
s
emi
/
（J532-p〈2016.02〉）



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