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P22F10SN Datasheet(PDF) 2 Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

Part # P22F10SN
Description  Power MOSFET
PDF  4 Pages
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Manufacturer  SHINDENGEN [Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd]
Direct Link  http://www.shindengen.co.jp/
Logo SHINDENGEN - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

P22F10SN Datasheet(HTML) 2 Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

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background image
www.shindengen.co.jp/product/semi/
（J532-p〈2016．06〉I2）
＊Sine waveは50Hzで測定しています。
＊50Hz sine wave is used for measurements.
■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS
P22F10SN
出力特性
Typical Output Characteristics
Drain・Source Voltage VDS
〔V〕
伝達特性
Transfer Characteristics
Gate・Source Voltage VGS
〔V〕
ドレイン・ソース間オン抵抗 − ドレイン電流
Static Drain-Source On-state Resistance vs Drain Current
Drain current ID
〔A〕
ドレイン・ソース間オン抵抗 − ケース温度
Static Drain-Source On-state Resistance vs Case Temperature
Case Temperature Tc
〔℃〕
ゲートしきい値 電圧 − ケース温度
Gate Threshold Voltage vs Case Temperature
Case Temperature Tc
〔℃〕
安全動作領域
Safe Operating Area
Drain・Source Voltage VDS
〔V〕
過渡熱抵抗
Transient Thermal Impedance
Time t
〔s〕
キャパシタンス特性
Capacitance Characteristics
Drain・Source Voltage VDS
〔V〕
全損失減少率 − ケース温度
Power Derating - Case Temperature
Case Temperature Tc
〔℃〕
ゲートチャージ特性
Gate Charge Characteristics
Total Gate Charge Qg
〔nC〕
単発アバランシェエネルギー減少率 - チャネル温度
Single Avalanche Energy Derating vs Channel Temperature
Starting Channel Temperature Tch
〔℃〕
0
0.5
1
1.5
2
0
10
20
30
40
44
0
1
2
3
4
5
6
7
8
10
20
30
40
44
0
1
2
5
10
20
44
10
20
50
100
55
0
50
100
150
55
0
50
100
150
5
10
20
50
100
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
22
44
66
100
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
100
101
102
103
0.01
0.1
1
10
100
0
20
40
60
80
100
10
100
1000
10000
0
25
50
75
100
125
150
0
20
40
60
80
100
0
10
20
30
40
50
0
20
40
60
80
100
0
5
10
15
20
0
50
100
150
0
20
40
60
80
100
パルス測定
pulse measurement
Tc=25℃
TYP
パルス測定
pulse measurement
VDS=10 [V]
TYP
VGS=10V
Tc=25℃
TYP
VGS= 10V
8V
6V
VGS= 5V
Tc=150℃
Tc=100℃
Tc= 25℃
Tc= 55℃
パルス測定
pulse measurement
パルス測定
pulse measurement
VGS=10V
TYP
パルス測定
pulse measurement
VDS=10V
ID=1mA
TYP
ID=11A
Tc=25℃
single pulse
RDS(ON) Limited
(at VGS=10V)
Power Dissipation
Limited
10μs
100μs
1ms
10ms
DC
Tc=25℃
f=1MHz
TYP
アルミ板：37.5mm×37.5mm
アルミ厚：3mm
θja
θjc
Ciss
Coss
Crss
VDS
ID=22A
TYP
VGS
VDD=80V
40V



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