2007-12-07

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2007-12-07

GaAlAs Infrared Emitter

GaAs-IR-Lumineszenzdiode

Version 1.0

SFH 483 E7800

Features:

Besondere Merkmale:

• Fabricated in a liquid phase epitaxy process

• Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren

• Anode is electrically connected to the case

• Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden

verbunden

• High reliability

• Hohe Zuverlässigkeit

• Matches all Si-Photodetectors

• Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

• Same package as BPX 63, BP 103, LD 242, SFH

464

• Gehäusegleich mit BPX 63, BP 103, LD 242, SFH

464

• DIN humidity caregory in acc. with DIN 40 040

GQG

• Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQC

Applications

Anwendungen

• Photointerrupters

• Lichtschranken

•Sensor technology

• Sensorik

• Light curtains

• Lichtgitter

Notes

Hinweise

Depending on the mode of operation, these devices

emit highly concentrated non visible infrared light

which can be hazardous to the human eye. Products

which incorporate these devices have to follow the

safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC

62471.

Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile

hochkonzentrierte, nicht sichtbare

Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das

menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese

Bauteile enthalten, müssen gemäß den

Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und

62471 behandelt werden.