D291S datasheet(2/5 Pages) EUPEC

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Schnelle Gleichrichterdiode

Fast Diode

D 291 S

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Spitzensperrspannung

3500V, 4000 V

repetitive peak reverse voltage

tvj = -40°C...140°C

VRRM

4500 V

Stoßspitzensperrspannung

3600V, 4100

non-repetitive peak reverse voltage

tvj = +25°C...140°C

VRSM

4600 V

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert / RMS forward current

IFRMSM

700 A

Dauergrenzstrom / mean forward current

tC = 85°C

IFAVM

290 A

tC = 51°C

445 A

Stoßstrom-Grenzwert

tvj = 25°C

IFSM

5200 A

surge forward current

tvj = 125°C

4500 A

Grenzlastintegral

tvj = 25°C

I²t

135000

I²t-value

tvj = 125°C

100000 A²s

Kritische periodische Ausschaltstromsteilheit

tvj = 125°C, IFM = 3000 A, VRM = 1600 V

(-di/dt)com

critical repetitive rate of fall of on - state

C = 0,125 µF, R = 6

Ω

700 A/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung / forward voltage

tvj = 125°C iFM = 1200 A

4,15 V

Schleusenspannung / threshold voltage

tvj = 125°c

V(TO)

1,9 V

Ersatzwiderstand / forward slope resistance

tvj = 125°C

1,76 m

Ω

Sperrstrom / reverse current

tvj = 125°C, vR = 0,67 VRRM

ca. 30 mA

tvj = 125°C, vR = VRRM

50 mA

Rückstromspitze / peak reverse recovery current

iFM = 1000 A, -diF/dt = 250 A/µs

IRM

500 A

tvj = 125°C; vR(Spr) = 1000 V;

C = 0,125 µF; R = 6

Ω

Sperrverzögerungsladung

iFM = 1000 A, -diF/dt = 250 A/µs

Qrr

950 µAs

recovered charge

tvj = 125°C; vR(Spr) = 1000 V;

C = 0,125 µF; R = 6

Ω

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

Kühlfläche / cooling surface

RthJC

thermal resistance, junction to case

beidseitig / two-sided

0,04 K/W

einseitig / single-sided

0,08 K/W

Übergangs-Wärmewiderstand

Kühlfläche / cooling surface

RthCK

thermal resistance, case to heatsink

beidseitig / two-sided

0,006 K/W

einseitig / single-sided

0,012 K/W

Höchstzulässige Sperrschichttemp. / max. junction temperat.

tvjmax

125 °C

Betriebstemperatur / operating temperature

tc op

-40...+125 °C

Lagertemperatur / storage temperature

tstg

-40...+150 °C

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage / case, see appendix

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Anpreßkraft /clamping force

9...13 kN

Gewicht / weight

ca. 250 g

Luftstrecke / air distance

20 mm

Kriechstrecke / creepage distance

30 mm

Feuchteklasse / humidity classification

DIN 40040

Schwingfestigkeit / vibration resistance

f = 50 Hz

50 m/s²

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt

in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.

This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the

belonging technical notes.

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