HD6432147SW datasheet(125/1140 Pages) RENESAS

125 / 1140 page

MCU 動作モード

ビット 4

説明

IICE

アドレス H'(FF)FF88∼H'(FF)FF89、H'(FF)FF8E∼H'(FF)FF8F のエリアは、SCI1

の制御レジスタをアクセス

アドレス H'(FF)FFA0∼H'(FF)FFA1、H'(FF)FFA6∼H'(FF)FFA7 のエリアは、SCI2

の制御レジスタをアクセス

アドレス H'(FF)FFD8∼H'(FF)FFD9、

H'(FF)FFDE

∼H'(FF)FFDF のエリアは、

SCI0

の制御レジスタをアクセス

（初期値）

アドレス H'(FF)FF88∼H'(FF)FF89、H'(FF)FF8E∼H'(FF)FF8F のエリアは、IIC1

のデータレジスタおよび制御レジスタをアクセス

アドレス H'(FF)FFA0∼H'(FF)FFA1、H'(FF)FFA6∼H'(FF)FFA7 のエリアは、

PWMX

のデータレジスタおよび制御レジスタをアクセス

アドレス H'(FF)FFD8∼H'(FF)FFD9、H'(FF)FFDE∼H'(FF)FFDF のエリアは、IIC0

のデータレジスタおよび制御レジスタをアクセス

ビット 3：フラッシュメモリコントロールレジスタイネーブル（FLSHE）

フラッシュメモリの制御レジスタ（FLMCR1､FLMCR2､EBR1､EBR2）、低消費電力状態

の制御レジスタ（SBYCR､LPWRCR､MSTPCRH､MSTPCRL）、および周辺モジュールの制

御レジスタ（PCSR、SYSCR2）の CPU アクセスを制御します。

ビット 3

説明

FLSHE

アドレス H'(FF)FF80∼H'(FF)FF87 のエリアは、低消費電力状態の制御レジスタ

および周辺モジュールの制御レジスタをアクセス

（初期値）

アドレス H'(FF)FF80∼H'(FF)FF87 のエリアは、フラッシュメモリの制御レジス

タをアクセス（F-ZTAT 版のみ）

ビット 2：リザーブビット

リザーブビットです。1 にセットしないでください。

ビット 1、0：インターナルクロックソースセレクト 1、0（ICKS1、ICKS0）

TCR

の CKS2∼CKS0 ビットと共に、TCNT に入力するクロックを選択します。詳細は

「12.2.4 タイマコントロールレジスタ（TCR）」を参照してください。

HD6432147SW Datasheet(PDF) 125 Page - Renesas Technology Corp