NTE63

Silicon NPN Transistor

High Gain, Low Noise Amp

Description:

The NTE63 is a silicon NPN high frequency transistor designed primarily for use in high–gain, low

noise tuned and wiseband small–signal amplifiers and applications requiring fast switching times.

Features:

Absolute Maximum Ratings:

12V

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20V

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2V

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40mA

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400mW

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Derate Above 50

°C

4.0mW/

°C

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

–65

° to +150°C

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250

°C/W

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Typ

Max Unit

OFF Characteristics

Collector–Emitter Breakdown Voltage

12

–

–

V

Collector–Base Breakdown Voltage

20

–

–

V

Emitter–Base Breakdown Voltage

2

–

–

V

Collector Cutoff Current

–

–

50

nA