TP1001 datasheet(3/6 Pages) TPOWER

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TP1001

支持 QC2.0 快速充电协议的接口控制芯片

V1.1

Shenzhen TPOWER Semiconductor

极限参数（注 1）

参数

额定值

单位

V1,V2,V3,D-,D+,R,VDD 到 GND 电压

-0.3~+7

VDD 引脚电流

V1,V2,V3 引脚电流

0.5

D+,D-引脚电流

储存环境温度

-50~+150

℃

工作结温范围

-40~+150

℃

工作环境温度

-40~+105

℃

ESD 水平(HBM)

2000

ESD 水平(MM)

200

推荐工作范围

参数

符号

工作条件

推荐值

单位

芯片工作电压

VDD

开关电源输出电压为 5~20V

4.3~6.1

工作环境温度

TOP

正常工作

-20~+85

℃

注 1: 最大极限值是指超出该工作范围芯片可能会损坏。在短时间内施加器件允许的绝对最大额定值不会引起产品永久性的损坏，但

长时间用在器件允许的最大额定值时，会对产品的可靠性造成影响。推荐工作范围是指在该范围内芯片工作正常，但不完全保

证满足个别性能指标。电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电气参数规范。

对于未给定的上下限参数，该规范不予保证其精度，但其典型值合理反映了器件性能。

电气参数

(无特殊说明，Ta=25℃，VDD=5V)

符号

参数

测试条件

最小值

典型值

最大值

单位

电源启动

VST

VDD 启动电压

VVDD 上升

3.75

VUV

VDD 欠压锁定

VVDD 下降

3.65

VCLP

VDD 钳位电压

IVDD=3mA

6.1

IOP

VDD 工作电流

N1=N2=N3=OFF

125

μA

VREF

带隙基准电压输出引脚电压

1.21

HVDCP 功能

VDAT_REF

数据检测电压阈值

325

VSEL_REF

输出电压选择阈值

VINHT

12V/20V 输出抑制阈值

VDD-0.6

TDAT_SHT

数据线路短路延时

Vout>0.8V

TGLITCH_D+

D+高波动滤波时间

RR=91kΩ

1250

TGLITCH_D-

D-低波动滤波时间

RR=91kΩ

TGLITCH_V

输出电压波动滤波时间

RR=91kΩ

R PDR_D-

D-下拉电阻

RDS_N1

开关 N1 导通电阻

IN1=200uA

300

RDS_N2

开关 N2 导通电阻

IN2=200uA

300

RDS_N3

开关 N3 导通电阻

IN3=200uA

300

RDS_N4

开关 N4 导通电阻

IN4=200uA

300

RDS_N5

开关 N5 导通电阻

IN5=200uA, VD+<3.6V

CDCP_PWR

数据线路电容

TP1001 Datasheet(PDF) 3 Page - Shenzhen Tianyuan Semiconductor Co., Ltd.

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