CH554G datasheet(12/54 Pages) WCH

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CH554 手册

En_Long_Reset

使能上电复位期间的额外延时复位：

0-标准短复位；1-宽复位，额外增加 44mS 复位时间

En_RST_RESET

使能 RST 引脚作为手工复位输入引脚：0-禁止；1-使能 RST

[11:10]

保留

(由编程器根据需要自动设定为 00)

Must_1

(由编程器根据需要自动设定为 1)

Must_0

(由编程器根据需要自动设定为 0)

[7:0]

All_1

(由编程器根据需要自动设定为 FFh)

FFh

6.3 数据存储空间

内部数据存储空间共 256 字节，如图 6.1 所示，已全部用于 SFR 和 iRAM，其中 iRAM 用于堆栈

和快速数据暂存，可细分为工作寄存器 R0-R7、位变量 bdata、字节变量 data、idata 等。

外部数据存储空间共 64KB，如图 6.1 所示，部分用于 1KB 片内扩充 xRAM，剩余为保留区域。

对于 CH553，片内扩充 xRAM 仅 512 字节。

6.4 flash-ROM 寄存器

表 6.4 flash-ROM 操作寄存器列表

名称

地址

描述

复位值

ROM_DATA_H

8Fh

flash-ROM 数据寄存器高字节

xxh

ROM_DATA_L

8Eh

flash-ROM 数据寄存器低字节

xxh

ROM_DATA

8Eh

ROM_DATA_L 和 ROM_DATA_H 组成 16 位 SFR

xxxxh

ROM_STATUS

86h

flash-ROM 状态寄存器(只读)

00h

ROM_CTRL

86h

flash-ROM 控制寄存器(只写)

00h

ROM_ADDR_H

85h

flash-ROM 地址寄存器高字节

xxh

ROM_ADDR_L

84h

flash-ROM 地址寄存器低字节

xxh

ROM_ADDR

84h

ROM_ADDR_L 和 ROM_ADDR_H 组成 16 位 SFR

xxxxh

flash-ROM 地址寄存器(ROM_ADDR)：

位

名称

访问

描述

复位值

[7:0]

ROM_ADDR_H

flash-ROM 地址高字节

xxh

[7:0]

ROM_ADDR_L

flash-ROM 地址低字节，只支持偶地址，

对于 Data Flash，必须将实际偏移地址 00H-7FH 左移

1 位变为偶地址 00H/02H/04H

…～FEH 后再置入

xxh

flash-ROM 数据寄存器(ROM_DATA)：

位

名称

访问

描述

复位值

[7:0]

ROM_DATA_H

flash-ROM 待写数据高字节

xxh

[7:0]

ROM_DATA_L

flash-ROM 待写数据低字节，

对于 DataFlash，是待写数据字节或读出的数据字节

xxh

flash-ROM 控制寄存器(ROM_CTRL)：

位

名称

访问

描述

复位值

[7:0]

ROM_CTRL

flash-ROM 控制寄存器

00h

CH554G Datasheet(PDF) 12 Page - Nanjing Qinheng Microelectronics Co., Ltd.

CH554G Datasheet(HTML) 12 Page - Nanjing Qinheng Microelectronics Co., Ltd.

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