HM4065B datasheet(3/11 Pages) HMSEMI

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管脚描述

管脚序号

名称

说明

内部电压调制器输出。为内部驱动电路提供电源，在

VG 管脚和

VCC 管脚之间需要接一个 100nF 的电容。

GND

地。输入电源的负输入端和电池负极。

CHRG

充电状态指示端。漏极开路输出。在充电状态，内部晶体管将此

管脚拉到低电平；否则，此管脚为高阻状态。

DONE

充电结束指示端。漏极开路输出。在充电结束状态，内部晶体管

将此管脚拉到低电平；否则，此管脚为高阻状态。

COM

回路补偿输入端。在此管脚到地之间串联连接一个

120Ω 的电阻

和一个

220nF 的电容。

电池电压反馈输入端。外接电阻分压网络以检测电池电压。

BAT

电池正极连接端和充电电流检测负输入端。此管脚连接到电池

的正极。同时，此管脚和

CSP管脚用于测量电流检测电阻

RCS两

端的电压，并将此电压信号反馈给

HM4065B进行电流调制。

CSP

充电电流检测正输入端。此管脚和

BAT管脚用于测量电流检测电

阻

RCS两端的电压，并将此电压信号反馈给HM4065B进行电流调

制。

VCC

外部电源正极输入端。

VCC 也是内部电路的电源。此管脚到地

之间需要接滤波电容。

DRV

栅极驱动端。驱动片外

P 沟道 MOS 场效应晶体管的栅极。

极限参数

VCC，VG，DRV，CHRG，DONE 到 GND 的电压……………….…－0.3V to 33V

VG 管脚到 VCC 管脚电压………………………………..………－8V to VCC＋0.3V

CSP，BAT 到 GND 的电压………………………………….………..…－0.3V to 27V

COM，FB 到 GND 的电压………..………………………..………..…－0.3V to 6.5V

存储温度

………………………………………………….…...……..…－65℃到 150℃

工作环境温度

………………………….………………………..…….…－40℃到 85℃

焊接温度

(10 秒)……………………………………………………………...……260℃

超出以上所列的极限参数可能造成器件的永久损坏。以上给出的仅仅是极限范围，在这样的极限条件下工作，

器件的技术指标将得不到保证，长期在这种条件下还会影响器件的可靠性。

HM4065B

HM4065B Datasheet(PDF) 3 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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