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HM5403 Datasheet(PDF) 2 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd |
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HM5403 Datasheet(HTML) 2 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd |
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2 / 8 page ![]() 2 / 8 原理图 Figure 2. 原理图 绝对最大额定值 参 数 符 号 最小值 最大值 单 位 供电电压 (VDD 和 GND 间电压 ) VDD -0.3 8.0 V 充电器输入电压(VM 和 GND 间电压) VM -5 10.0 V 存贮温度范围 TSTG -55 145 °C 结温 TJ -40 145 °C 功率损耗 T=25°C PMAX 400 mW ESD HBM 6000 V 注:各项参数若超出“绝对最大值”的范围,将有可能对芯片造成永久性损伤。以上给出的仅是极限范 围,在这样的极限条件下工作,芯片的技术指标将得不到保证。长期工作在“绝对最大值”附近,会影 响到芯片的可靠性。 推荐工作条件 参 数 符 号 最小值 最大值 单 位 供电电压 (VDD 和 GND 间电压 ) VDD 0 6.0 V 充电器输入电压( VM 和 GND 间电压) VM -3 6 V 存贮温度范围 TSTG -40 85 °C 内置 MOSFET 锂电池保护芯片 |
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