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HM5813 Datasheet(PDF) 3 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

Part # HM5813
Description  Bluetooth headset backup power
PDF  9 Pages
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Manufacturer  HMSEMI [Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd]
Direct Link  http://www.hmsemi.com/
Logo HMSEMI - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

HM5813 Datasheet(HTML) 3 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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3/9
蓝牙耳机备用电源
典型参数（除特别说明，TA=25℃，L=1uH）
参数
符号
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
充电系统
输入电压
VIN
4.75
5
5.5
V
充电过压保护
Vinovp
5.6
6.1
V
充电过压保护恢复 Ovp_Vin_RE
5.2
5.6
V
充电目标电压
VTRGT
4.2V 系统
4.22
V
充电目标电压
VTRGT
4.35V 系统
4.37
V
充电电流
ICHRG
VIN=5V,BAT=3.9V
320
mA
涓流充电电流
ITRKL
VIN=5V，BAT=2.7V
50
mA
涓流截止电压
VTRKL
2.95
V
再充电阈值
VRCH
4.1
V
输入欠压保护
VUVLO
上升电压
4.5
V
欠压保护迟滞
VUVLOH
200
mV
升压系统
电池工作电压
VBAT
2.8
4.4
V
启动电压
Vst
3.2
V
DC 输出电压
VOUT
VBAT=3.7V
5.05
V
输出电压纹波
ΔVOUT
VBAT=3.7V，
VOUT=5.0V，fs=500KHz
200
mV
升压系统供电电流
Ivout
VBAT=3.7V
1
A
负载过流检测时间 TUVD
输出电压持续低于 3.5V
5
ms
负载短路检测时间
TOCD
输出电流持续大于 1.5A
200
us
休眠输出电压 1
Vso1
VBAT=3.7V，空载
3.65
V
休眠输出电压 2
Vso2
VBAT=3.7V，负载 100K
2.4
V
控制系统
开关频率
fs
500
KHz
PMOS 导通电阻
RDSON
120
mΩ
NMOS 导通电阻
120
mΩ
电池输入待机电流
ISTB
VIN=0V，VBAT=3.7V
20
uA
LED 显示驱动电
流
IL1~4
VBAT=3.7V
3
mA
负载自动关机电流
I-aoff-load
VBAT=3.7V
5
mA
负载自动检测时间
TloadD
负载电流持续小于
I-aoff-load
8
S
欠压关机
Vuvo
2.8
V
欠压恢复
Vuvd
3.2
V
短按键唤醒时间
TOnDebounce
50
ms
热关断温度
TOTP
上升温度
150
℃
热关断温度迟滞
ΔTOTP
40
℃
HM5813



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