LM8205D datasheet(2/4 Pages) LEIDITECH

2 / 4 page

▉

Electerical Characteristics 電特性

(TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃)

Characteristic

特性參數

Symbol

符號

Min

最小值

Typ

典型值

Max

最大值

Unit

單位

Drain-Source Breakdown Voltage

漏極-源極擊穿電壓

(ID =250uA,VGS=0V)

BVDSS

—

Gate Threshold Voltage

栅極開启電壓

(ID =250uA,VGS= VDS)

VGS(th)

0.5

—

1.0

Zero Gate Voltage Drain Current

零栅壓漏極電流

(VGS=0V, VDS= 20V)

IDSS

—

Gate Body Leakage

栅極漏電流

(VGS=+8V, VDS=0V)

IGSS

—

+100

Static Drain-Source On-State Resistance

静态漏源導通電阻

(ID=5A,VGS=4.5V)

(ID=4A,VGS=2.5V)

RDS(ON)

—

mΩ

Diode Forward Voltage Drop

内附二極管正向壓降

(ISD=1.7A,VGS=0V)

VSD

—

1.2

Input Capacitance 輸入電容

(VGS=0V, VDS=10V,f=1MHz)

CISS

—

800

—

Common Source Output Capacitance

共源輸出電容(VGS=0V, VDS=10V,f=1MHz)

COSS

—

155

—

Reverse Transfer Capacitance 反向传輸電容

(VGS=0V, VDS=10V,f=1MHz)

CRSS

—

125

—

Gate Source Charge 栅源電荷密度

(VDS=10V, ID=3A, VGS=4.5V)

Qgs

—

1.2

—

Gate Drain Charge 栅漏電荷密度

(VDS=10V, ID=3A, VGS=4.5V)

Qgd

—

1.9

—

Turn-On Delay Time 開启延迟時間

(VDS=10V, ID=1A, RGEN=6Ω,VGS=4.5V)

td(on)

—

Turn-On Rise Time 開启上升時間

(VDS=10V, ID=1A, RGEN=6Ω,VGS=4.5V)

—

Turn-Off Delay Time 關断延迟時間

(VDS=10V, ID=1A, RGEN=6Ω,VGS=4.5V)

td(off)

—

Turn-On Fall Time 開启下降時間

(VDS=10V, ID=1A, RGEN=6Ω,VGS=4.5V)

—

LM8205D

Rev :

www.leiditech.com

01.06.2018

2/4

LM8205D Datasheet(PDF) 2 Page - Shanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

LM8205D Datasheet(HTML) 2 Page - Shanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

Html Pages

1 2 3 4

Datasheet Download

Link URL