CD4066 datasheet(3/10 Pages) HMSEMI

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3.2、推荐使用条件(Tamb = 25℃; RL = 10 k; CL = 50 pF; En = V

DD (方波); Vis = VDD = 5 V)

参数

符号

条件

最小

典型

最大

单位

电源电压

VDD

3.0

5.0

9.0

输入电压

VDD

输出无效时间

（高电平→关断）

tPHZ

Vos

160

输出无效时间

（低电平→关断）

tPLZ

Vos

160

输出使能时间

（关断

→高/低电平）

tPZH, tPZL

Vos

数字输入端输入电容

7.5

3.3、直流电气特性 (除非另有规定，Tamb=25℃)

参数名称

符号

测试条件

最小

典型

最大

单位

VDD =5V

350

2500

导通电阻

RON

Vis = VSS to VDD

En at VDD,见图 4

VDD =9V

245

VDD =5V

115

340

导通电阻

RON

En at VDD，Vis = VSS

见图

VDD =9V

160

VDD =5V

120

365

导通电阻

RON

En at VDD，Vis = VDD

见图

VDD =9V

200

VDD =5V

任意两个通道间

的电阻差

RON

En at VDD，Vis = VDD

见图

VDD =9V

VDD =5V

关断态漏电流

（任何通道关断）

IOZ

En at VSS

VDD =9V

VDD =5V

2.25

En 端输入电压

（低电平电压）

VIL

Iis = 10 A

见图

VDD =9V

4.50

参数名称

符号

测试条件

-40°

+25°

+85°

单位

VDD =5V

1.0

7.5

静态电流

IDD

VSS = 0;

VI =VSS or VDD

（所有输入端）

VDD =9V

2.0

15.0

En 端输入漏电流

IIN

En at VSS or VDD

VDD =9V

300

1000

第

3 页

CD4066

CD4066 Datasheet(PDF) 3 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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