HM4063 datasheet(3/11 Pages) HMSEMI

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管脚描述:

管脚序号

名称

说明

内部电压调制器输出。为内部驱动电路提供电源。

PGND

功率地

GND

模拟地

CHRG

漏极开路输出端。在充电状态，内部晶体管将此管脚拉到低电平；

否则，此管脚为高阻状态。

DONE

漏极开路输出端。在充电结束状态，内部晶体管将此管脚拉到低

电平；否则，此管脚为高阻状态。

TEMP

电池温度监测输入端。在此管脚到地之间连接一个负温度系数的

热敏电阻。

EOC

充电结束电流设置端。将此管脚直接接到地或者通过一个电阻接

到地。

COM1

回路补偿输入端

1。在此管脚到地之间接一个 470pF 的电容。

COM2

回路补偿输入端

2。在此管脚到地之间串联连接一个 120Ω 的电

阻和一个

220nF 的电容。

test

测试端。需将此管脚接到地。

COM3

回路补偿输入端

3。在此管脚到地之间接一个 100nF 的电容。

没有连接

CSP

充电电流检测正输入端。此管脚和

BAT管脚测量充电电流检测电

阻

RCS两端的电压，并将此电压信号反馈给芯片进行电流调制。

BAT

电池电压检测输入端和充电电流检测负输入端。内部高精度电阻

分压网络连接到此管脚，同高精度的电压参考源和运算放大器一

起决定了恒压充电电压。

VCC

外部电源输入端。

VCC 也是内部电路的电源。此管脚到地之间

需要接一个滤波电容。

DRV

驱动片外

P 沟道 MOS 场效应晶体管的栅极。

极限参数

VCC，VG，DRV，CHRG，DONE 到 GND 的电压…….…－0.3V to 30V

CSP，BAT 到 GND 的电压………………………………..…－0.3V to 28V

COM3 到 GND 的电压…………………………………...…….6.5V

其它管脚到

GND 的电压………………………..........………－0.3V to VCOM3+0.3V

存储温度

……………………………………………...……..…－65℃---150℃

工作环境温度

………………………….…………………….…－40℃---85℃

焊接温度

(10 秒)…………………………………………..……300℃

超出以上所列的极限参数可能造成器件的永久损坏。以上给出的仅仅是极限范围，在这样的极限条件下

工作，器件的技术指标将得不到保证，长期在这种条件下还会影响器件的可靠性。

HM4063

Shenzhen H&M Semiconductor Co.Ltd

http：//www.hmsemi.com

HM4063 Datasheet(PDF) 3 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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