HM4074 datasheet(4/11 Pages) HMSEMI

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电气特性

（

VCC＝15V，TA＝－40℃ 到 85℃，除非另有注明）

参数

符号

测试条件

最小

典型

最大

单位

输入电压范围

VCC

4.5

伏特

低电压锁存阈值

VUVLO

3.1

3.8

4.4

伏特

芯片工作电流

IVCC

VBAT＞VREG

0.7

1.0

1.3

毫安

恒压充电电压

VREG

恒压充电

3.585

3.625

3.665

伏特

VBAT＞VPRE，VCSP－VBAT

110

120

130

电流检测

VCS

VBAT＜VPRE，VCSP－VBAT

毫伏

IBAT1

充电结束模式，

VBAT＝3.6V

流入

BAT 管脚电流

IBAT2

睡眠模式，

VBAT＝3.6V

微安

涓流充电阈值

VPRE

BAT管脚电压上升

66.5

%VREG

涓流充电阈值迟滞

HPRE

BAT管脚电压下降

2.5

%VREG

充电结束阈值

Iterm

充电电流下降

%ICC

再充电阈值

VRE

BAT管脚电压下降

91.66

%VREG

过压阈值

Vov

BAT 管脚电压上升

1.04

1.07

1.1

过压释放阈值

Vclr

BAT 管脚电压下降

1.0

1.02

1.04

VREG

MPPT 管脚

MPPT 管脚调制电压

VMPPT

在最大功率点跟踪状态

1.18

1.205

1.23

MPPT 管脚电流

IMPPT

－

100

CHRG 管脚

CHRG管脚下拉电流

ICHRG

VCHRG＝1V，充电状态

毫安

CHRG管脚漏电流

ILK1

VCHRG＝28V，充电结束状态

微安

DONE 管脚

管脚下拉电流

IDONE

VDONE＝1V，充电结束状态

毫安

管脚漏电流

ILK2

VDONE＝28V，充电状态

微安

振荡器

频率

fosc

240

300

360

kHZ

最大占空比

Dmax

睡眠模式

睡眠模式阈值

(测量VCC－VBAT)

VSLP

CC falling VBAT＝3.6V

0.0

0.02

0.1

伏特

睡眠模式释放阈值

(测量VCC－VBAT)

VSLPR

VCC rising,

VBAT＝3.6V

0.26

0.32

0.39

伏特

DRV 管脚

VDRV 高电平

(VCC－VDRV)

IDRV＝－10mA

毫伏

VDRV 低电平

(VCC－VDRV)

IDRV＝0mA

6.3

伏特

上升时间

Cload＝2nF, 10% to 90%

纳秒

下降时间

Cload＝2nF, 90% to 10%

纳秒

注：

VREG 表示恒压充电电压；ICC 表示恒流充电电流。

HM4074 Datasheet(PDF) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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