HM4074 datasheet(8/11 Pages) HMSEMI

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电感电流增加；在

P沟道MOS场效应晶体管关断期间，电感向电池放电，电感电流减小。电感的纹波电流随

着电感值的减小而增大，随着输入电压的增大而增大。较大的电感纹波电流会导致较大的纹波充电电流和磁

损耗。所以电感的纹波电流应该被限制在一个合理的范围内。

电感的纹波电流可由下式估算：

其中：

f是开关频率，300KHz

L是电感值

VBAT电池电压

VCC是输入电压

在选取电感值时，可将电感纹波电流限制在△

IL≤0.3×ICH，ICH是充电电流。请留意最大电感纹波电流△IL

出现在输入电压最大值和电感最小值的情况下。

除了上述的公式，电感值应该同时满足下面公式要求：

为保证有较低的电磁辐射，电感最好为贴片式屏蔽电感。

MOSFET的选择

HM4074的应用电路需要使用一个P沟道MOS场效应晶体管。选择该MOS场效应晶体管时应综合考虑转换效

率，

MOS场效应晶体管功耗以及最高温度。

在芯片内部，栅极驱动电压被钳位在

6.3V(典型值)，可以使用低开启电压的P沟道MOS场效应晶体管。所以需

要留意该

MOS场效应晶体管的击穿电压BVDSS要大于最高输入电压。

选择

P沟道MOS场效应晶体管时需要考虑的因素包括导通电阻Rds(on)，栅极总电荷Qg，反向传导电容CRSS，

输入电压和最大充电电流。

MOS场效应晶体管的最大功耗可以用下式来近似：

其中：

Pd是MOS场效应晶体管的功耗

VBAT是电池的最高电压

VCC是最小输入电压

Rds(on)是P沟道场效应晶体管在室温(25℃)条件下的导通电阻

ICH是充电电流

dT是P沟道MOS场效应晶体管的实际温度与室温(25℃)的温度差

除了前面公式所描述的导通损耗

I2Rds(on)外，MOS场效应晶体管还有开关损耗，开关损耗随着输入电压的增

加而增加。一般来讲，在输入电压小于

20V时，导通损耗大于开关损耗，应该优先考虑导通电阻比较小的MOS

场效应晶体管；在输入电压大于

20V时，开关损耗大于导通损耗，应该优先考虑反向传导电容CRSS比较小的

MOS场效应晶体管。一般CRSS的值在MOS场效应晶体管的技术规格书中都有列明，如果没有明确列明该电容

值，可由公式

CRSS = QGD/ΔVDS来估算。

很多型号的

MOS场效应晶体管，比如

HM3407，HM9435，HM4435，HM4407，都可以选用。前面所列

MOS场效应晶体管的型号仅供参考，用户需要根据具体要求来选用适合的型号。

二极管的选择

在典型应用电路图

1中的二极管D1和D2均为肖特基二极管。这两个二极管通过电流能力至少要比充电电流大；

二极管的耐压要大于最高输入电压的要求。

二极管

D1和D2的选择原则为够用即可，如果所选用二极管的通过电流能力或耐压远远超过所需要的值，由于

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