M5576PR datasheet(7/10 Pages) ETC

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M5576

高性能电流模式 PWM 控制器

M5576_V1.0

www.mjic.hk

M5576 上电后，在芯片启动期间，内部 4ms 的软启动来降低启动时的应力。当 VDD 达到 VDD_OFF，SEN

尖峰电压由 0.15V 逐渐升高增至最大。每次重启后都会重新软启动。

频率抖动干扰的改进

M5576 集成了频率抖动（开关频率调制）功能进行扩频，最大限度地降低了 EMI 带宽，简化了系统设计。

跳周期模式操作

在轻载或空载状态，开关电源的功耗来源于开关 MOSFET 的损耗、变压器磁心损耗和启动电路损耗，功

率损耗的大小在于开关频率的比例。较低的开关频率，能降低功率损耗，从而节约了能源。

开关频率在空载或轻载条件下自行调节，降低开关频率在轻载、空载的情况下可以提高转换效率。只有当

VDD 电压下降到低于预先设定的值且 COMP 电压处在适当状态的时候，DRV 驱动才处于打开状态，否则，

DRV 驱动将处于关闭状态来最大程度的降低开关损耗和待机损耗。

振荡器

开关频率固定在 65kHz ，PCB 设计简化。

电流检测和前沿消隐

M5576 是电流模式 PWM 控制，提供逐周期电流限制。开关电流是通过一个电阻接到 SEN 引脚来检测。

内部的前沿消隐电路会屏蔽掉电压尖峰内部功率 MOSFET 的初始状态，由于缓冲二极管反向恢复电流和

DRV 功率 MOSFET 浪涌电流造成的检测电压尖峰，

导致电流限制比较器被屏蔽，

无法关断功率 MOSFET。

PWM 的占空比是由 SEN 电流检测输入电压和 COMP 输入电压计算确定的。

内部同步斜坡补偿

内部斜坡补偿电路是将一个斜坡电压加入 SEN 引脚输入电压来帮忙生成 PWM 信号，它大大提高了在

CCM 下的闭环稳定性，防止次谐波振荡，从而降低输出纹波电压。

驱动

功率 MOSFET 是由专用 DRV 驱动功率开关驱动控制。DRV 驱动强度越弱，功率管的导通损耗和 MOSFET

开关损耗就越大；而 DRV 驱动越强，直接影响 EMI 性能。

一个很好的权衡方法为通过内置的图腾柱栅驱动设计，适当的驱动能力和 DRV 设计合适的死区时间来实

现控制。通过这种设计很容易达到良好的电磁系统的设计和降低空载损耗的目的。

保护控制

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