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30F60W Datasheet(PDF) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

Part # 30F60W
Description  FAST RECOVERY DIODE
PDF  5 Pages
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Manufacturer  JSMC [JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.]
Direct Link  http://www.hwdz.com.cn
Logo JSMC - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

30F60W Datasheet(HTML) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

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background image
R
30F60W
版本：202308G
2/5
绝对最大额定值
ABSOLUTE RATINGS
(Tc=25℃)
项
目
Parameter
符 号
Symbol
数 值
Value
单
位
Unit
最大反向重复峰值电压
Repetitive peak reverse voltage
VRRM
600
V
正向平均整流电流
Average forward current
T
B
C
B
=110℃
IF(AV)
30
A
峰值单脉冲浪涌电流
Peak one Cycle Surge Forward
Current(Non-Repetitive)
t=8.3ms
IFSM
300
A
雪崩耐量
Avalanche Energy (1A, 40mH)
EAVL
20
mJ
结温
Junction Temperature
Tj
-55~+150
℃
储存温度
Storage temperature range
TSTG
-55~+150
℃
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc=25℃ unless otherwise specified)
热特性 THERMAL CHARACTERISTICS
项
目
Parameter
符
号
Symbol
最大值
Value(max)
单
位
Unit
结到管壳的热阻 Thermal Resistance Junction to Case
Rth(j-c)
0.8
℃/W
项
目
Parameter
测试条件
Tests conditions
最小值
Value(min)
典型值
Value(typ)
最大值
Value(max)
单位
Unit
VRRM
IR =50μA
600
V
IR
Tj =25
℃
VR=VRRM
25
μA
Tj =125
℃
500
μA
VF
Tj =25
℃
IF=30A
2.0
2.5
V
Tj =125
℃
1.7
2.1
V
trr
IF=1A, VR=30V, diF/dt=-1
00A/μs
Tc =25℃
26
35
ns
trr
IF=30A, VR=200V, diF/dt=-2
00A/μs
Tc =25
℃
30
ns
Qrr
23
nc
IRRM
1.5
A
trr
IF=30A, VR=200V, diF/dt=-2
00A/μs
Tc =125
℃
86
ns
Qrr
160
nc
IRRM
3.7
A
CT
VR = 200V
33
pF



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