ATP112 datasheet(2/4 Pages) SANYO

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ATP112

No. A1754-2/4

Electrical Characteristics at Ta=25°C

Parameter

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

min

typ

max

Drain-to-Source Breakdown Voltage

V(BR)DSS

ID=--1mA, VGS=0V

--60

Zero-Gate Voltage Drain Current

IDSS

VDS=--60V, VGS=0V

--1

μA

Gate-to-Source Leakage Current

IGSS

VGS=±16V, VDS=0V

±10

μA

Cutoff Voltage

VGS(off)

VDS=--10V, ID=--1mA

--1.2

--2.6

Forward Transfer Admittance

| yfs |

VDS=--10V, ID=--13A

Static Drain-to-Source On-State Resistance

RDS(on)1

ID=--13A, VGS=--10V

mΩ

RDS(on)2

ID=--7A, VGS=--4.5V

mΩ

RDS(on)3

ID=--3.5A, VGS=--4V

mΩ

Input Capacitance

Ciss

VDS=--20V, f=1MHz

1450

Output Capacitance

Coss

VDS=--20V, f=1MHz

155

Reverse Transfer Capacitance

Crss

VDS=--20V, f=1MHz

125

Turn-ON Delay Time

td(on)

See speciﬁed Test Circuit.

Rise Time

See speciﬁed Test Circuit.

Turn-OFF Delay Time

td(off)

See speciﬁed Test Circuit.

150

Fall Time

See speciﬁed Test Circuit.

120

Total Gate Charge

VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--25A

33.5

Gate-to-Source Charge

Qgs

VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--25A

5.3

Gate-to-Drain “Miller” Charge

Qgd

VDS=--30V, VGS=--10V, ID=--25A

7.9

Diode Forward Voltage

VSD

IS=--25A, VGS=0V

--0.97

--1.5

Switching Time Test Circuit

PW=10μs

D.C.≤1%

P.G

50Ω

ID=13A

RL=2.3Ω

VDD= --30V

VOUT

VIN

--10V

VIN

ATP112

IT15590

--0.4

--0.2

--0.6 --0.8 --1.0

--2.0

--1.6

--1.2 --1.4

--1.8

--5

--25

--15

--20

--10

--30

--20

--40

--50

--60

IT15591

--2.0

--1.0

--3.0

--1.5

--0.5

--2.5

--4.0 --4.5 --5.0 --5.5 --6.0

--3.5

--3.0V

VGS= --2.5V

--3.5V

VDS= --10V

Single pulse

--4.5V

--4.0V

ID -- VDS

ID -- VGS

Drain-to-Source Voltage, VDS -- V

Gate-to-Source Voltage, VGS -- V

Tc=25

°C

Single pulse

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