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ATP112

No. A1754-3/4

IT15599

IT15598

--2

--4

--6

--1

--3

--5

--8

--7

--9

--10

--0.1

--1.0

--10

--0.1

IDP= --75A (PW≤10μs)

ID= --25A

100

μs

10ms

100ms

Operation in

this area is

limited by RDS(on).

--1.0

5 7

--10

--100

μs

--100

VDS= --30V

ID= --25A

IT15593

--60

--50

--40

--10

--30

--20

1000

100

IT15597

IT15595

--1.4

--1.2

--1.0

--0.6

--0.2

--0.4

--0.8

--0.001

--0.01

--0.1

--1.0

--10

--100

--0.1

--1.0

--10

VGS=0V

Single pulse

Ciss

Crss

IT15596

100

td(off)

VDD= --30V

VGS= --10V

IT15592

--2

--16

--4

--6

--8

--10

--12

--14

--1

--15

--3

--5

--7

--9

--11

--13

Coss

td(on)

Tc=25

°C

Single pulse

ID= --13A

--3.5A

--7A

IT15594

--0.1

--1.0

1.0

--10

35 7

5 7

Tc=

--25

°C

VDS= --10V

Single pulse

f=1MHz

--50

--25

150

100

125

Single pulse

V GS

= -

-4.5V

, I D

= -

-7A

V GS

= -

-4.0V

, I D

= -

-3.5A

V GS

= --10.0V

, I D

= --13A

VGS -- Qg

Total Gate Charge, Qg -- nC

A S O

Drain-to-Source Voltage, VDS -- V

Tc=25

°C

Single pulse

| yfs | -- I

RDS(on) -- VGS

RDS(on) -- Tc

SW Time -- ID

Gate-to-Source Voltage, VGS -- V

Case Temperature, Tc --

°C

Drain Current, ID -- A

Drain-to-Source Voltage, VDS -- V

Diode Forward Voltage, VSD -- V

Ciss, Coss, Crss -- VDS

IS -- VSD

ATP112 Datasheet(PDF) 3 Page - Sanyo Semicon Device

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