PDMB50A6 datasheet(1/4 Pages) NIEC

Part #	PDMB50A6

Description	50 A 600 V

PDF	4 Pages

Scroll/Zoom	100%

Manufacturer	NIEC [Nihon Inter Electronics Corporation]

Direct Link	http://www.niec.co.jp

Logo

1 / 4 page

─ 367 ─

■最大定格 Maximum Ratings（TC＝25℃）

項目

Item

記号

Symbol

定格値

Rated Value

単位

Unit

コレクタ・エミッタ間電圧

Collector-Emitter Voltage

VCES

600

V

ゲート・エミッタ間電圧

Gate-Emitter Voltage

VGES

±20

V

コレクタ電流

Collector Current

IC

50

A

コレクタ損失

Collector Power Dissipation

PC

250

W

接合温度

Junction Temperature Range

Tj

−40∼＋150

℃

保存温度

Storage Temperature Range

Tstg

−40∼＋125

℃

絶縁耐圧

（端子−ベース間，AC１分間）

Isolation Voltage（Terminal to Base, AC１min.）

Viso

2500

V

（RMS）

締付トルク

Mounting Torque

Ftor

N・m

（kgf・cm）

100

DC

1ms

ベース取付部

Module Base to Heatsink

端子部

Busbar to Terminal

ICP

項目

Characteristic

記号

Symbol

条件

Test Conditions

最小

Min.

単位

Unit

コレクタ遮断電流

Collector-Emitter Cut-Off Current

ICES

VCE＝600V, VGE＝0V

─

1.0

mA

ゲート漏れ電流

Gate-Emitter Leakage Current

IGES

VGE＝±20V, VCE＝0V

─

500

nA

■電気的特性 Electrical Characteristics（TC＝25℃）

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

Collector-Emitter Saturation Voltage

VCE

（sat）

IC＝50A, VGE＝15V

─

2.0

2.5

V

ゲートしきい値電圧

Gate-Emitter Threshold Voltage

VGE

（th）

VCE＝5V, IC＝50mA

4.0

─

8.0

V

入力容量

Input Capacitance

Cies

VCE＝10V, VGE＝0V, f＝1MHz

─

5000

─

pF

tf

─

0.2

0.35

toff

─

0.45

0.7

スイッチング時間

Switching Time

tr

VCC＝300V

RL＝6Ω

RG＝15.0Ω

VGE＝±15V

─

0.15

0.3

μs

ton

─

0.25

0.4

下降時間

Fall Time

ターン・オフ時間

Turn-Off Time

上昇時間

Rise Time

ターン・オン時間

Turn-On Time

IGBT

50 A

600 V

PDMB50A6

■回路図 CIRCUIT

■外形寸法図 OUTLINE DRAWING （単位 Dimension：mm）

C2E1

C1

G2

E2

G1

E1

最大

Max.

標準

Typ.

2（20.4）

Similar Part No. - PDMB50A6

Manufacturer	Part #	Datasheet	Description
Nihon Inter Electronics...	PDMB50A6	108Kb / 3P	IGBT MODULE Dual 50A 600V

More results

Similar Description - PDMB50A6

Manufacturer	Part #	Datasheet	Description
Nihon Inter Electronics...	PDMB75A6	142Kb / 4P	75 A 600 V
	PDMB300A6	149Kb / 4P	300 A 600 V
	PHMB600A6	150Kb / 4P	600 A 600 V
Renesas Technology Corp	RJH60D7ADPK	93Kb / 8P	600 V - 50 A - IGBT Application: Inverter
Renesas Technology Corp	RJH60M7DPQ-A0	59Kb / 4P	600 V - 50 A - IGBT Application: Inverter
Fairchild Semiconductor	SGL50N60RUFDTU	494Kb / 8P	600 V, 50 A Short Circuit Rated IGBT
Kersemi Electronic Co.,...	MUR1630	442Kb / 5P	ULTRAFAST RECTIFIERS 1.0 A, 50 V ??600 V
Renesas Technology Corp	RJH60F7DPQ-A0	95Kb / 8P	600 V - 50 A - IGBT High Speed Power Switching
Vishay Siliconix	VS-GT50TP60N	1Mb / 7P	Half Bridge IGBT Power Module, 600 V, 50 A 11-Jun-15
ON Semiconductor	FFH50US60S-F085	4Mb / 6P	STEALTH Diode 50 A, 600 V March, 2020 - Rev. 4

More results

PDMB50A6 Datasheet(PDF) 1 Page - Nihon Inter Electronics Corporation

PDMB50A6 Datasheet(HTML) 1 Page - Nihon Inter Electronics Corporation

Similar Part No. - PDMB50A6

Similar Description - PDMB50A6

Html Pages

1 2 3 4

Datasheet Download

Link URL