2SB892 / 2SD1207

Rev.0 I Page 2 of 5 I www.onsemi.com

Continued from preceding page.

Ratings

Parameter

Symbol

Conditions

min

typ

max

Unit

DC Current Gain

hFE1*

VCE=(--)2V, IC=(--)100mA

100

560

hFE2VCE=(--)2V, IC=(--)1.5A

40

Gain-Bandwidth Product

fT

VCE=(--)10V, IC=(--)50mA

150

MHz

Output Capacitance

Cob

VCB=(--)10V, f=1MHz

(22)12

pF

Collector-to-Emitter Saturation Voltage

VCE(sat)

IC=(--)1A, IB=(--)50mA

(--0.3)0.15

(--0.7)0.4

V

Base-to-Emitter Saturation Voltage

VBE(sat)

IC=(--)1A, IB=(--)50mA

(--)0.9

(--)1.2

V

Collector-to-Base Breakdown Voltage

V(BR)CBO

IC=(--)10µA, IE=0A

(--)60

V

Collector-to-Emitter Breakdown Voltage

V(BR)CEO

IC=(--)1mA, RBE=∞

(--)50

V

Emitter-to-Base Breakdown Voltage

V(BR)EBO

IE=(--)10µA, IC=0A

(--)6

V

* : The 2SB892 / 2SD1207 are graded as follows by hFE at 100mA :

Rank

R

S

T

U

hFE

100 to 200

140 to 280

200 to 400

280 to 560

Package Dimensions

unit : mm (typ)

7520-002

12 3

0.5

0.5

0.5

0.6

1.45

1.45

6.0

4.7

5.0

1 : Emitter

2 : Collector

3 : Base

SANYO : MP

IC -- VCE

IC -- VCE

Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V

Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V

--2.4

--2.0

--1.6

--0.8

--1.2

--0.4

0

0--2.4

--1.6

--2.0

--1.2

--0.4

--0.8

2.4

2.0

1.6

0.8

1.2

0.4

0

02.4

1.6

2.0

1.2

0.4

0.8

--2mA

--4mA

--6mA

--8mA

2mA

4mA

8mA

50mA

40mA

25mA

15mA

--20mA

--10mA

IB=0mA

ITR08646

IB=0mA

ITR08647

2SB892

2SD1207