PCP1103 datasheet(2/5 Pages) ONSEMI

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PCP1103

No.A1346-2/5

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Parameter

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

Base Current

--300

Collector Dissipation

When mounted on ceramic substrate (450mm2×0.8mm)

1.3

Tc=25°C

3.5

Junction Temperature

150

°C

Storage Temperature

Tstg

--55 to +150

°C

Electrical Characteristics at Ta=25°C

Parameter

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

min

typ

max

Collector Cutoff Current

ICBO

VCB= --30V, IE=0A

--0.1

μA

Emitter Cutoff Current

IEBO

VEB= --4V, IC=0A

--0.1

μA

DC Current Gain

hFE

VCE= --2V, IC= --100mA

200

560

Gain-Bandwidth Product

VCE= --10V, IC= --300mA

450

MHz

Output Capacitance

Cob

VCB= --10V, f=1MHz

Collector to Emitter Saturation Voltage

VCE(sat)

IC= --0.75A, IB= --15mA

--250

--375

Base to Emitter Saturation Voltage

VBE(sat)

IC= --0.75A, IB= --15mA

--0.85

--1.2

Collector to Base Breakdown Voltage

V(BR)CBO

IC= --10μA, IE=0A

--30

Collector to Emitter Breakdown Voltage

V(BR)CEO

IC= --1mA, RBE=∞

--30

Emitter to Base Breakdown Voltage

V(BR)EBO

IE= --10μA, IC=0A

--5

Turn-On Time

ton

See speciﬁed Test Circuit.

Storage Time

tstg

115

Fall Time

Switching Time Test Circuit

Ordering Information

Device

Package

Shipping

memo

PCP1103-TD-H

PCP

1,000pcs./reel

Pb Free and Halogem Free

VCC= --12V

IC=20IB1= --20IB2= --0.75A

INPUT

OUTPUT

820

μF

PW=50

μs

IB1

D.C.

≤1%

IB2

IC -- VCE

Collector to Emitter Voltage, VCE -- V

IC -- VBE

Base to Emitter Voltage, VBE -- V

--50mA

--40mA

--30mA

--20mA

--2.0

--1.4

--1.2

--1.6

--1.8

--1.0

--0.4

--0.2

--0.6

--0.8

--0.4

--0.8

--0.9

--1.0

--0.2

--0.6

--0.3

--0.7

--0.1

--0.5

IB=0mA

IT14106

--2mA

--4mA

--6mA

--10mA

--8mA

VCE= --2V

--1.6

--1.2

--0.6

--0.8

--1.4

--1.0

--0.2

--0.4

--0.2

--0.4

--0.6

--0.8

--1.2

--1.0

IT14107

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