2SA2027 datasheet(1/4 Pages) ETC

Part #	2SA2027

Description	SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

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2SA2027

シリコンPNPエピタキシァル形

低周波電力増幅用

VCBO

VEBO

VCEO

I C

PC

Tj

Tstg

-7

-300

-100

+150

-55 ∼+150

V

mA

mW

℃

概要

2SA2027 樹脂封止形シリコンPNPエピタキシァル形トラ

ンジスタで、高耐圧に設計、製造されております。

セットの小型化、高密度実装用として幅広くご使用いた

だけます。

特長

・小形外形のため、セットの小型化、高密度実装が可能

用途

ハイブリッドＩＣ，DC-DCコンバータ用

記号

項目

コレクタ・ベ−ス間電圧

コレクタ電流

コレクタ損失

接合部温度

保存温度

定格値

単位

最大定格 (Ta=25℃)

記号

項目

測定条件

特性値

最小

標準

最大

単位

電気的特性 (Ta=25 ℃)

エミッタ・ベ−ス間電圧

コレクタ・エミッタ間電圧

・コレクタ飽和電圧が低い

VCE(sat)=-0.5V 最大

-300

V(BR)CBO

I CBO

I EBO

VCE(sat)

f T

Cob

hFE

I C=-50μA, I E=0

VCB= -300V, I E=0

VEB=-5V, I C=0

VCE=-10V, I C=-10mA

I C=-100mA, I B=-10mA

VCE=-6V, I E=10mA

VCB=-6V, I E=0, f=1MHz

-300

50

40

3.0

-0.5

V

μA

V

MHz

pF

μA

コレクタ・ベース降伏電圧

コレクタしゃ断電流

エミッタしゃ断電流

コレクタ・エミッタ飽和電圧

利得帯域幅積

コレクタ出力容量

直流電流増幅率

500

外形図

単位:mm

V(BR)CEO

I C=-1mA, R BE=∞

コレクタ・エミッタ降伏電圧

-300

V(BR)EBO

I E=-50μA, I C=0

エミッタ・ベース降伏電圧

-7

V

305

電極接続

Ｅ: エミッタ

Ｃ: コレクタ

Ｂ: ベース

EIAJ : SC-62

JEDEC :

E

C

B

4.6 MAX

1.6

3.0

1.5

0.53

MAX

0.48 MAX

1.5

0.4

マーキング

マ−キング図

A H

形名表示

製造月

W

ランニング No.

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