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D6FEC4ST Datasheet(PDF) 2 Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

Part # D6FEC4ST
Description  Schottky Barrier Diode
PDF  4 Pages
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Manufacturer  SHINDENGEN [Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd]
Direct Link  http://www.shindengen.co.jp/
Logo SHINDENGEN - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

D6FEC4ST Datasheet(HTML) 2 Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

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www.shindengen.co.jp/product/semi/
（J532-p〈2016．02〉I2）
＊Sine waveは50Hzで測定しています。
＊50Hz sine wave is used for measurements.
■特性図　CHARACTERISTIC DIAGRAMS
D6FEC4ST
順方向特性
Forward Voltage
Tc=175℃ [MAX]
Tc=175℃ [TYP]
Tc= 25℃ [MAX]
Tc= 25℃ [TYP]
Pulse measurement per diode
Forward Voltage　VF
〔V〕
0
0.5
1
1.5
2
0.001
0.01
0.1
1
10
30
逆方向特性
Reverse Current
Reverse Voltage　VR
〔V〕
0
10
20
30
40
5
15
25
35
0.001
0.1
0.01
1
10
100
1000
10000
Tc=50℃ [TYP]
Tc=75℃ [TYP]
Tc=100℃ [TYP]
Tc=125℃ [TYP]
Tc=150℃ [TYP]
Tc=175℃ [TYP]
Pulse measurement per diode
順電力損失曲線
Forward Power Dissipation
Average Rectified Forward Current　Io
〔A〕
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
DC
D=0.8
0.5
SIN
0.3
0.2
0.1
0.05
Tj =175℃
tp
T
Io
D=tp/T
逆電力損失曲線
Reverse Power Dissipation
Reverse Voltage　VR
〔V〕
0
10
20
30
40
50
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
DC
D=0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
SIN
0.8
Tj =175℃ 0
tp
VR
T
D=tp/T
ディレーティングカーブ
Derating Curve
Case Temperature　Tc
〔℃〕
0
60
120
40
100
160
20
80
140
180
0
2
4
6
8
10
VR=20V
0
0
VR
Io
D=tp/T
tp
T
DC
D=0.8
0.1
0.2
0.3
0.5
SIN
0.05
ディレーティングカーブ
Derating Curve
Ambient Temperature　Ta
〔℃〕
0
20
80
140
40
100
160
60
120
180
0
1
2
3
4
5
6
プリントランド(リード部) 1.5mm×2.5mm
プリントランド(ヒートシンク部) 7mm□
導体厚 35μm
ガラエポ基板厚 t=1.6mm
ガラエポ基板
VR=20V
0
0
tp
T
VR
Io
D=tp/T
DC
D=0.8
0.1
0.2
0.3
0.5
SIN
0.05
せん頭サージ順電流耐量
Peak Surge Forward Capability
Number of Cycles
〔cycle〕
1
10
100
0
20
40
60
80
100
120
10ms 10ms
1cycle
non-repetitive
sine wave　　Tj=25℃
せん頭サージ順電流耐量
Peak Surge Forward Capability
Pulse Width　tp
〔ms〕
1
10
0
50
100
150
200
250
tp
せん頭サージ順電流減少率 - 接合部温度
Peak Surge Forward Current Derating vs Junction Temperature
Junction Temperature　Tj
〔℃〕
0
25
50
100
75
125
150
0
20
40
60
80
100
接合容量
Junction Capacitance
Reverse Voltage　VR
〔V〕
0.1
10
1
40
10
100
1000
1素子当り
f=1MHz
TI=25℃
TYP
過渡熱抵抗
Transient Thermal Impedance
Time　t
〔s〕
10-4
10-3
10-1
101
10-2
100
102
103
0.1
1
10
過渡熱抵抗
Transient Thermal Impedance
Time　t
〔s〕
10-4
10-3
10-1
101
10-2
100
102
103
0.1
100
10
1
ガラエポ基板
プリントランド(リード部) 1.5mm×2.5mm
プリントランド(ヒートシンク部) 7mm□
導体厚 35μm
ガラエポ基板厚 t=1.6mm
non-repetitive
sine wave
Tj=25℃



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