Schottky Barrier Diode

Twin

D6FEC4ST

40V 6A

特 長

Feature

●SMD

●AEC-Q101準拠

●SMD

●Based on AEC-Q101

■外観図　OUTLINE

Package

：FE

Unit : mm

外形図については新電元Webサイトをご参照下さい。捺印表示については

捺印仕様をご確認下さい。

For details of the outline dimensions, refer to our web site. As for the

marking, refer to the specification “Marking, Terminal Connection”.

■定格表　RATINGS

保存温度

Storage Temperature

項　　目

Item

記号

Symbol

条　件

Conditions

規格値

Ratings

単位

Unit

www.shindengen.co.jp/product/semi/

（J532-p〈2016．02〉I2）

接合部温度

Operating Junction Temperature

せん頭逆電圧

Maximum Reverse Voltage

出力電流

Average Rectified Forward Current

せん頭サージ順電流

Peak Surge Forward Current

順電圧

Forward Voltage

逆電流

Reverse Current

接合容量

Junction Capacitance

熱抵抗

Thermal Resistance

Tstg

Tj

Io

Cj

θjc

θja

パルス測定, 一素子当りの規格値

＝3A,

Pulse measurement, per diode

パルス測定, 一素子当りの規格値

＝40V,

Pulse measurement, per diode

f

接合部・ケース間

Junction to case

接合部・周囲間　※1

Junction to ambient

　※1

50Hz 正弦波, 抵抗負荷, 一素子当りの出力電流平均値 Io/2, Tc＝158℃

50Hz sine wave, Resistance load, Rating for each diode Io/2, Tc

＝158℃

50Hz 正弦波, 非繰り返し1サイクルせん頭値, Tj＝25℃

50Hz sine wave, Non-repetitive 1 cycle peak value, Tj

＝25℃

tp＝1ms, Tj＝25℃, 非繰り返し

tp

＝1ms, Tj＝25℃, Non-repetitive

50Hz 正弦波, 抵抗負荷, Ta＝25℃

50Hz sine wave, Resistance load, Ta

＝25℃

※1 基板条件はディレーティングカーブ[Ta-Io]参照

℃

－55～175

℃

175

V

40

4

6

90

A

V

0.74

A

A

155

Max.

μA

8

Max.

pF

93

Typ.

℃/W

4

Max.

60

Max.

Date code

ロット記号（例）

Type No.

品名略号

6EC4

Control No.

管理番号（例）

00

00

T