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TP4065 Datasheet(PDF) 14 Page - Billiton Ltd. |
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14 / 14 page ![]() 南京拓微集成电路有限公司 NanJing Top Power ASIC Corp. REV_1.2 14 TP4065 其他典型应用 RCH=1K CHRG PROG GND BAT Vcc RPROG 2.2K CBAT 10uF CVIN 10uF VIN=5V + 4 1 2 3 5 R1 100K 图 7 无电池红灯灭 单节锂电池充电应用图 TP4065 测试使用注意事项 1、为保证各种情况下可靠使用,防止尖峰和毛刺电压引起的芯片损坏,建议 TP4065 应 用中 V CC 端和 BAT 端分别接 1μF-10μF 的陶瓷电容以及 0.1μF 陶瓷电容,客户在大 电流 400mA 及其以上电流充电使用下建议使用较大的 4.7-10μF 电容以及 0.1μF 陶瓷 电容。所有电容位置须靠近芯片引脚放置,不宜过远。 2、如需测试 TP4065 充电电流,芯片 BAT 端(3 号脚)应直接连接电池正极,不可串联 电流表,电流表可接在芯片 V CC 端。 3、采用 SOT23 封装,大电流应用中(400mA 以上)散热效果不佳可能引起充电电流受 温度保护而减小。一般客户可以不接耗散电阻,若电流不能满足要求,请根据实际 电源电压设计热耗散电阻(耗散电阻不仅可以得到稳定的充电电流,而且对整机系 统的可靠性也有很大的提升) ,芯片 V CC 端输入电压在 4.8V 为最佳,可得到较大充 电电流,一般热耗散电阻为 0.3 至 0.6Ω,封装最好为 1206。良好的 PCB 板布局可 以有效减小客户在大电流充电应用中温度对电流的影响。 版本历史 日期 版本说明 版本 2016.11.10 第一版 Rev1.0 2016.12.16 Rev1.1 2017.03.15 删除 3.7V 版本 Rev1.2 |
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