HM4021 datasheet(8/9 Pages) HMSEMI

Part #	HM4021

Description	Built-in power stage with low-resistance NMOS FET technology ensures high efficiency and low power consumption

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Manufacturer	HMSEMI [Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd]

Direct Link	http://www.hmsemi.com/

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12.极限工作条件

◇电源电压

VDD ------- -0.3V to 4.5 V

◇信号输出端电压

SOL -------- -0.3 to 4.5V

◇信号输入端电压

SI --------

−0.3V to 4.5V

◇接收线圈端电压

VCHG -------- -0.3V to 20V

◇信号输出端电压

SOH ------- −0.3V to 4.5V

◇存放温度范围

------- −55℃ to 150℃

◇

ESD保护(HBM人体模式) ---------------- ±2KV

13.电气参数

如果没有特别说明，下列性能的测试条件为

VIN = 3.7V, TA = 25°C

符号

参数

测试条件

最小值

典型值

最大值

单位

VDD

输入电压

5.5

静态电流

省电模式

Ipd

过放电后消耗电流

VUVLOF

过放检测阈值

VIN下降

3.12

3.18

3.24

VUVLOR

过放恢复阈值

VIN上升

3.4

3.5

VRE

自动恢复阀值

自动恢复时对应

VDD到CM端电压

1.3

1.7

2.4

VRSTB

低压复位阈值

VIN下降

2.1

Rdson

CM端开关内阻

I=0.5A@25CV

210

MΩ

涓流充电开关导通电

阻

Vchg=4.5，

VDD=2.7V

Ω

Rchg

恒流充电开关导通电

阻

Vchg=4.5，

VDD=3.6V

Ω

Fosc

内部时钟频率

@-40~150C

KHZ

Vref

内部参考基准

1.25

Iocp（注1）

放电过流保护阀值

持续时间大于

8MS

2.0

2.4

2.7

HM4021

无线充电接收

+锂电保护芯片

HM4021 Datasheet(PDF) 8 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

HM4021 Datasheet(HTML) 8 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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