HM5011CS datasheet(7/10 Pages) HMSEMI

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电容大小的要求，同时也可以提高系统效率。

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高压启动电路和超低待机功耗（<50mW）

HM5011 内置有一个500V 高压启动单元。在开机过程中该启动单元开始工作，

从Drain 端取电并通过高压电流源对VDD 电容进行充电，如“功能模块”中所述。

当VDD 电压上升至VDD_ON(典型7.5V)时，芯片开始工作且芯片工作电流增加至约

0.8mA。在稳态工作时，芯片通过反馈二极管由输出进行供电，同时借助高压启

动电路，系统待机功耗可以低至50mW 以下。

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逐周期峰值电流限制和前沿消隐

HM5011 内置的峰值电流检测阈值具有随系统工作频率变化而变化的特点，

并通过CS 管脚实现对电感峰值电流的调制。当CS 管脚采样到的电压超过该阈值

时，功率MOSFET 立即关断直至下一开关周期开始。同时芯片内置有前沿消隐电

路（消隐时间约300ns），消隐期间内部的逐周期峰值电流比较器将被屏蔽而不

能关闭MOSFET。

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多模式PWM 控制

为满足系统平均效率和空载待机方面的严格要求，HM5011 采用了调幅控制

（AM）和调频控制（FM）相结合的工作模式，如图1 所示。满载情况下系统工作

于调频模式（FM）；重载至轻载阶段，系统同时工作于调频和调幅模式（FM+AM）

中,以达到良好的调整率和较高的系统效率；当工作于空载附近时，系统将重新

进入调频模式以降低待机损耗。通过这种方式，可以将系统待机功耗降至50mW 以

下。

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