HM5011CS datasheet(8/10 Pages) HMSEMI

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软启动

HM5011 内集成有4ms（典型值）的软启动电路，在芯片启动过程中系统开关

频率逐渐增加，而且每次系统的重新启动都会伴随着一次软启动过程。

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输出过压保护（OVP）

当在连续的3 个工作周期里HM5011 检测到FB 脚电压高于2.4V 以上时，芯

片将进入输出电压过压保护（OVP），随后系统将进入自动重启模式。

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过载保护 (OLP) /短路保护 (SLP)

当过流或短路情况发生时，输出电压和反馈电压将降低且低于输出过载保护

阈值VFB_OLP。如果在48ms（典型值）的时间内该状态持续存在，则芯片将停止

开关动作并进入自动重启模式（如下描述）。

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异常过流保护 (AOCP)

在某些情况下(如重载或者输出短路等)，系统的电感电流峰值将上升过于剧

烈。为避免电感峰值电流过大对系统元器件造成损坏，芯片内部设计有异常过流

检测模块（AOCP，典型阈值为0.9V）。当CS 电压高于该阈值时，内部功率MOSFET

即刻关断并保持关断状态持续48us。

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过热保护(OTP)

HM5011 内部集成的过热保护电路会检测芯片的内部结温，当芯片结温超过

150 度（典型值）时，系统进入到自动重启模式。

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优化的动态响应

HM5011 集成有快速动态影响功能，可降低负载切换时的输出电压跌落。

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消除可闻噪音

HM5011 通过采用频率调制和CS 峰值电压调制调相结合的多模式控制方式，

可实现在全负载范围内有效消除可闻噪音。

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VDD 过压保护 (OVP) 和VDD 电压箝位

当VDD 电压高于VDD_OVP (典型值 28V)时，芯片将停止工作。随后VDD 电压

下降至VDD_OFF (典型值7V)并进入重启模式。此外，芯片内部集成有30V稳压管，

避免VDD 脚电压过高而损坏。

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自动重启保护

芯片触发保护后功率MOSFET 将关断，同时系统进入自动重启模式，芯片内

HM5011CS Datasheet(PDF) 8 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd