HM4072 datasheet(4/12 Pages) HMSEMI

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电气特性

（

VCC=15V，TA=－40℃ 到 85℃，除非另有注明）

参数

符号

测试条件

最小

典型

最大

单位

输入电压范围

VCC

7.5

低电压锁存阈值

UVLO

4.2

7.3

芯片工作电流

IVCC

VBAT ﹥VREG

1.2

1.7

2.2

反馈电压

VFB

FB 管脚电压，恒压充电模式 2.392

2.416

2.44

FB 管脚偏置电流

IFB

VFB＝2.4V

300

VBAT＞66.7%×VREG

190

200

210

电流检测电压

(VCSP－VBAT)

VCS

VBAT＜66.7%×VREG

流入

BAT 管脚电流

IBAT

VBAT＝12V

涓流充电阈值

VPRE

FB管脚电压上升

66.7%

再充电阈值

VRE

FB管脚电压下降

95.8%

过压阈值

Vov

电池端电压上升

1.06

1.08

1.1

过压释放阈值

Vclr

电池端电压下降

0.98

1.02

VREG

(注 2)

MPPT 管脚

MPPT 管脚调制电压

VMPPT

在最大功率点跟踪状态

1.0

1.04

1.08

VMPPT 温度系数

TCMPPT

在最大功率点跟踪状态

－

0.4%

／℃

MPPT 管脚偏置电流

IMPPT

－

100

TEMP 管脚

上拉电流

Iup

比较器高端阈值

Vthh

TEMP 管脚电压上升

1.57

1.61

1.65

比较器低端阈值

Vthl

TEMP 管脚电压下降

0.145

0.175

0.205

CHRG 管脚

CHRG管脚下拉电流

ICHRG

VCHRG=1V，充电模式

CHRG管脚漏电流

ILK1

VCHRG=25V，充电结束模式

DONE 管脚

DONE管脚下拉电流

IDONE

VDONE=1V，充电结束模式

DONE管脚漏电流

ILK2

VDONE=25V，充电模式

振荡器

频率

fosc

240

300

360

kHZ

最大占空比

Dmax

睡眠模式

VBAT=8V

0.06

0.1

0.14

VBAT=12V

0.1

0.14

0.18

睡眠模式阈值

(测量VCC－VBAT)

VSLP

CC falling

VBAT=18V

0.18

0.23

0.28

VBAT=8V

0.26

0.32

0.39

VBAT=12V

0.32

0.42

0.52

睡眠模式释放阈值

(测量VCC－VBAT)

VSLPR

VCC rising,

VBAT=18V

0.38

0.47

0.58

DRV 管脚

VDRV 高电平

(VCC－VDRV)

IDRV＝－10mA

HM4072

HM4072 Datasheet(PDF) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

HM4072 Datasheet(HTML) 4 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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