HM4072 datasheet(3/12 Pages) HMSEMI

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管脚描述

管脚序号

名称

说明

内部电压调制器输出。为内部驱动电路提供电源。在

VG 管脚和

VCC 管脚之间接一个 100nF 的电容。

PGND

功率地

GND

模拟地

CHRG

漏极开路输出端。在涓流充电状态，恒流充电状态和恒压充电状

态，内部晶体管将此管脚拉到低电平；否则，此管脚为高阻状态。

DONE

漏极开路输出端。在充电结束状态，内部晶体管将此管脚拉到低

电平；否则，此管脚为高阻状态。

TEMP

电池温度监测输入端。在此管脚到地之间连接一个负温度系数的

热敏电阻。

MPPT

太阳能电池最大功率点跟踪端。在正常工作时，此管脚电压被调

制到

1.04V(25℃)，温度系数为－0.4%/℃，符合太阳能电池最大

功率点电压的温度系数。此管脚需要接电阻分压网络以检测太阳

能电池的电压。

COM1

回路补偿输入端

1。在此管脚到地之间接一个 470pF 的电容。

COM2

回路补偿输入端

2。在此管脚到地之间串联连接一个 120Ω 的电

阻和一个

220nF 的电容。

电池电压反馈端。外接电阻分压网络以检测电池电压。

COM3

回路补偿输入端

3。在此管脚到地之间接一个 100nF 的电容。

没有连接

CSP

充电电流检测正输入端。此管脚和

BAT管脚测量充电电流检测电

阻

RCS两端的电压，并将此电压信号反馈给芯片进行电流调制。

BAT

充电电流检测负输入端。此管脚和

CSP管脚测量充电电流检测电

阻

RCS两端的电压，并将此电压信号反馈给芯片进行电流调制。

VCC

外部电源输入端。

VCC 也是内部电路的电源。此管脚到地之间

需要接一个滤波电容。

DRV

驱动片外

P 沟道 MOS 场效应晶体管的栅极。

极限参数

VCC，VG，DRV，CHRG，DONE 到 GND 的电压…….…－0.3V to 30V

CSP，BAT 到 GND 的电压………………………………..…－0.3V to 28V

COM3 到 GND 的电压…………………………………...…….6.5V

其它管脚到

GND 的电压………………………..........………－0.3V to VCOM3+0.3V

存储温度

……………………………………………...……..…－65℃---150℃

工作环境温度

………………………….…………………….…－40℃---85℃

焊接温度

(10 秒)…………………………………………..……300℃

超出以上所列的极限参数可能造成器件的永久损坏。以上给出的仅仅是极限范围，在这样的极限条件下

工作，器件的技术指标将得不到保证，长期在这种条件下还会影响器件的可靠性。

HM4072

HM4072 Datasheet(PDF) 3 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

HM4072 Datasheet(HTML) 3 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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