VEC2811 datasheet(3/6 Pages) SANYO

Part #	VEC2811

Description	MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device

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Manufacturer	SANYO [Sanyo Semicon Device]

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VEC2811

No.8287-3/6

Switching Time Test Circuit

trr Test Circuit

[MOSFET]

[SBD]

PW=10

µs

D.C.

≤1%

P.G

Ω

ID= --1.5A

RL=10Ω

VDD= --15V

VOUT

VEC2811

VIN

--10V

VIN

Duty

≤10%

Ω

100

Ω

--5V

trr

µs

[MOSFET]

RDS(on) -- VGS

RDS(on) -- Ta

Gate-to-Source Voltage, VGS -- V

Ambient Temperature, Ta --

°C

ID -- VDS

ID -- VGS

Drain-to-Source Voltage, VDS -- V

Gate-to-Source Voltage, VGS -- V

--0.5

--1.0

--2.0

--2.5

--3.0

--3.5

--4.0

--0.2

--1.5

--0.4

--0.1

--0.3

--0.5

--0.7

--0.9

--0.6

--0.8

--1.0

--0.5

--1.0

--2.5

--1.5

--2.0

--3.0

--1

--2

--3

--4

--5

IT07767

IT07768

VDS= --10V

VGS= --2.5V

160

220

180

200

140

100

120

IT07769

--2

--4

--6

--12

--8

--10

--0.7A

Ta=25

°C

ID= --1.5A

--75

--50

--25

125

100

200

220

160

140

120

180

100

175

150

IT09169

ID=

--1.5

A, VGS

= --10V

I D

= --0.7

A, V

= --

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