CRE6358 datasheet(5/7 Pages) ETC

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制订：2015-02-11 版本：

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CRE6353/58/59 SF

绿色节能电流模式 PWM 功率转换器

优化的Hiccup Mode控制

在轻载或者空载情况下，开关电源的大多数损耗来源于功率MOSFET 的开关损耗，变压器铁损和缓冲电

路的损耗。功率损失的程度正比于开关频率。较低的开关频率可以降低功率损耗，达到节能的目的。

CRE635XSF系列芯片的开关频率可根据开关电源空载或者轻载的情况进行内部调节。在空载或者轻载的

情况下减小开关频率，可以提高转换效率。在轻载或者空载情况下，FB 端电压下降到Hiccup Mode 阈值

电压，电源进入HiccupMode 工作状态。当VDD 电压下降到预定的阈值时，栅极驱动被激活，FB 控制开

关打开，以降低开关损耗，极大的减小待机功耗。开关频率控制在任何负载情况下都不会进入

音频范围，杜绝音频噪声。

频率抖动改善EMI性能

CRE635XSF系列芯片具有频率抖动功能（随机开关频率调整），开关频率调整分散了谐波干扰能量。扩

展的频谱降低了窄带EMI，因此简化了系统设计。

正常振荡频率

CRE635XSF系列芯片内部设计有固定的65KHz 的标准开关频率，无需外部电容电阻等设定频率元器件，

有效地简化了PCB 设计。

电流采样和前沿消隐

CRE635XSF系列芯片采用电流模式PWM 控制技术，具有逐周期电流限制功能。由于缓冲二极管反向恢

复电流和内部功率MOSFET 栅极浪涌电流，会在MOSFET 导通瞬间的开关电流上引起脉冲电流，开关电

流通过感应电阻被转变为电压反馈到SENSE 端口。MOSFET 导通瞬间的脉冲电流可能会引起错误的控

制。内部前沿消隐电路就是为了屏蔽SENSE 端口在MOSFET 导通瞬间的感应电压脉冲，防止错误的控制。

这样就可以为系统节省一个外部的RC 网络。在前沿消隐时间内，电流限制比较器禁止关闭内部功率

MOSFET。PWM 的占空比由SENSE 电压和FB 电压共同控制。

内部斜波补偿

内置的斜波补偿电路增加控制PWM 信号的SENSE 端口感应电压斜率。这极大的改善了系统工作在CCM

模式的闭环稳定性，防止次谐波振荡，减小输出纹波电压。

驱动

CRE635XSF系列芯片内置功率MOSFET 是通过一个专用的栅极驱动控制。太弱的栅极驱动能力将导致高

的传导和开关损耗。太强的栅极驱动EMI特性较差。内置的Totem Pole 栅极驱动设计可以很好的解决驱动

强度和死区控制时间。这个专用的控制原理更容易实现系统低损耗和良好的EMI特性设计。除此之外，栅

极的驱动强度也可以通过调整VDD 和VDDG 之间的电阻实现。可以很好的控制漏极的下降沿。使得系统

的EMI设计具有很大的灵活性。

保护控制

CRE635XSF系列芯片为了确保系统的正常工作内置了多重保护措施。当这些保护措施一旦被触发，将关

断功率MOSFET。这些保护措施包括逐周期电流限制（OCP）、过载保护（OLP）、VDD欠压锁定（UVLO）

保护、过压保护（OVP）和VDD 箝位功能。逐周期电流限制（OCP）带有线电压补偿，可实现宽输入电

压范围（85V~265V）时恒定功率输出控制。当FB 端电压超过过载限制阈值TD_PL（典型50ms）时间后，

控制电路关闭开关管，该状态一直保持。直到VDD 电压下降到UVLO（ON）阈值后，进入重启序列。VDD

电压由变压器辅助绕组提供。当VDD 电压超过过压保护（OVP）阈值时，CRE635XSF系列芯片将关闭输

出，该状态一直保持。直到VDD 电压下降到UVLO（ON）阈值后，进入重启序列。当VDD 电压超过VDD

箝位阈值时，内部VDD 箝位电路将VDD 箝位在30V，以保护VDD 端口。此时CRE635XSF系列芯片的输

出仍然是关闭的。

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