Semiconductor Group

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1997-11-01

GaAs-IR-Lumineszenzdiode

GaAs Infrared Emitter

Wesentliche Merkmale

q

GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im

Schmelzepitaxieverfahren

q

Hohe Zuverlässigkeit

q

Gruppiert lieferbar

q

Gehäusegleich mit BPX 81

Anwendungen

q

Miniaturlichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

q

Lochstreifenleser

q

Industrieelektronik

q

“Messen/Steuern/Regeln”

Features

q

GaAs infrared emitting diode, fabricated in a

liquid phase epitaxy process

q

High reliability

q

Available in bins

q

Same package as BPX 81

Applications

q

Miniature photointerrupters

q

Punched tape readers

q

Industrial electronics

q

For control and drive circuits

LD 261

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

GEO06021

2.4

2.1

0.7

0.6

Collector (BPX 81)

Cathode (LD 261)

2.54 mm spacing

1.5

2.1

position

Chip

0.25

0.15

1.4

1.0

A

A

0.4

0.5

0.4

Radiant sensitive area

(0.4 x 0.4)

Approx. weight 0.03 g

Detaching area for tools, flash not true to size.

1)

5

...

0

Typ

Type

Bestellnummer

Ordering Code

Gehäuse

Package

LD 261

Q62703-Q395

Leiterbandgehäuse, klares Epoxy-Gießharz, linsenför-

nung: Nase am Lötspieß

Lead frame, transparent epoxy resin lens, solder tabs

tion at solder lead

LD 261-5

Q62703-Q67