ECH8668 datasheet(4/8 Pages) ONSEMI

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[Nch]

A S O

Drain-to-Source Voltage, VDS -- V

Total Gate Charge, Qg -- nC

VGS -- Qg

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.5

4.0

IT12491

IT14781

VDS=10V

ID=7.5A

0.1

1.0

0.01

0.1

1.0

32 3

Operation in this

area is limited by RDS(on).

100

μs

100ms

operation

a=25

°C)

10ms

1ms

IDP=40A

ID=7.5A

Ta=25

°C

Single pulse

When mounted on ceramic substrate

(900mm2

×0.8mm)

≤10μs

| yfs | -- I

[Pch]

Gate-to-Source Voltage, VGS -- V

RDS(on) -- VGS

Ambient Temperature, Ta --

°C

RDS(on) -- Ta

Drain Current, ID -- A

Diode Forward Voltage, VSD -- V

IS -- VSD

Drain-to-Source Voltage, VDS -- V

ID -- VDS

Gate-to-Source Voltage, VGS -- V

ID -- VGS

IT13074

--0.5

--1.0

--1.5

--2.0

--2.5

--0.4

--0.2

--0.6

--0.8

--1.0

--1.2

--1

--4

--7

--2

--5

--3

--6

--8

IT13076

--60 --40 --20

120

100

140 160

100

IT13077

IT13078

--0.01

--0.1

0.1

1.0

--0.01

--0.1

--1.0

--10

Ta=

--25

°C

VDS= --10V

VGS=0V

VGS

= --1.8V

, ID=

--0.5A

VGS

= --2.5V

, ID=

--1.5A

VGS

= --4.5V

, ID=

--3.0A

--1.0

--10

IT13075

--2

--4

--1

--3

--5

IT13073

--0.2

--0.1

--0.4

--0.6

--0.8

--0.3

--0.5

--0.7

--0.9 --1.0

--2

--6

--7

--4

--1

--5

--3

--8

100

120

140

VGS= --1.2V

Ta=25

°C

ID= --0.5A

--3.0A

--1.5A

--1.5V

VGS= --10V

ECH8668

No. A1510-4/8

ECH8668 Datasheet(PDF) 4 Page - ON Semiconductor

ECH8668 Datasheet(HTML) 4 Page - ON Semiconductor

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