AFT09S282N datasheet(8/14 Pages) NXP

Part #	AFT09S282N

Description	N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

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Manufacturer	NXP [NXP Semiconductors]

Direct Link	http://www.nxp.com

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RF Device Data

Freescale Semiconductor, Inc.

AFT09S282NR3

P1dB -- TYPICAL LOAD PULL CONTOURS — 940 MHz

--4.5

--0.5

--1.5

--1

--2

--2.5

--3.5

--4

--3

--4.5

--0.5

--1.5

--1

--2

--2.5

--3.5

--4

--3

--4.5

--0.5

--1.5

--1

--2

--2.5

--3.5

--4

--3

18.5

NOTE:

= Maximum Output Power

= Maximum Drain Efficiency

Figure 10. P1dB Load Pull Output Power Contours (dBm)

--4.5

REAL (Ω)

--0.5

--1.5

Figure 11. P1dB Load Pull Efficiency Contours (%)

REAL (Ω)

Figure 12. P1dB Load Pull Gain Contours (dB)

REAL (Ω)

Figure 13. P1dB Load Pull AM/PM Contours (°)

REAL (Ω)

--1

--2

--2.5

--3.5

--4

--3

18.5

19.5

20.5

21.5

--8

--10

--16

--18

--20

Power Gain

Drain Efficiency

Linearity

Output Power

54.5

--22

--24

55.5

--12

--14

AFT09S282N Datasheet(PDF) 8 Page - NXP Semiconductors

AFT09S282N Datasheet(HTML) 8 Page - NXP Semiconductors

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