EG3113 datasheet(11/12 Pages) EGMICRO

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屹晶微电子有限公司

EG3113 芯片数据手册 V1.1

大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片

www.egmicro.com

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输入信号和输出信号逻辑真值表：

输入

输出

输入、输出逻辑

HIN（引脚 4）

（引脚 3）

HO（引脚 7）

LO（引脚 5）

从真值表可知，在输入逻辑信号 HIN 和

同时为“0”和非同时为“1”情况下，驱动器控制输出

HO、LO 同时为“0”上、下功率管同时关断；当输入逻辑信号 HIN、

同时为“0”时，驱动器控制输出 HO

为“0”上管关断，LO 为“1”下管导通；当输入逻辑信号 HIN、

同时为“1”时，驱动器控制输出 HO 为

“1”上管导通，LO 为“0”下管关断；内部逻辑处理器杜绝控制器输出上、下功率管同时导通，具有相互

闭锁功能。

8.3 自举电路

EG3113 采用自举悬浮驱动电源结构大大简化了驱动电源设计，只用一路电源电压 VCC 即可完成高端

N 沟道 MOS 管和低端 N 沟道 MOS 管两个功率开关器件的驱动，给实际应用带来极大的方便。EG3113 可以

使用外接一个自举二极管如图 8-3 和一个自举电容自动完成自举升压功能，假定在下管开通、上管关断期间

C 自举电容已充到足够的电压（Vc=VCC）

，当 HO 输出高电平时上管开通、下管关断时，VC 自举电容上的电

压将等效一个电压源作为内部驱动器 VB 和 VS 的电源，完成高端 N 沟道 MOS 管的驱动。

+600V

自举电容

VCC

EG3113

FR107

外接自举二极管

+12V

LIN

HIN

图 8-3. EG3113 自举电路结构

EG3113 Datasheet(PDF) 11 Page - Jingjing Microelectronics Co., Ltd