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PL3536 Datasheet(PDF) 5 Page - Suzhou Juyuan Microelectronics Co., Ltd |
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PL3536 Datasheet(HTML) 5 Page - Suzhou Juyuan Microelectronics Co., Ltd |
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5 / 8 page ![]() Datasheet Datasheet Datasheet Datasheet PL3536 PL3536 PL3536 PL3536 V1.0 © 2011 www.pmicro.com.cn 5 8 8 8 8 电气特性 (无特殊说明,其测试条件为:VDD =16V, TA = 25℃) 参数 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 电源电压 (VDD) 启动电流 I DD_sd VDD=16V 1.1 20 uA 工作电流 I DD_op FB=2V, CS=0V, VDD=20V 1 1.5 mA VDD 进入欠压阈值 UVLO(ON) VDD 下降 8.1 9.0 9.8 V VDD 退出欠压阈值 UVLO(OFF) VDD 上升 13.5 14.5 15.5 V VDD 过压阈值 OVP VDD 上升直到栅极 关断 26 27.5 29 V VDD 齐纳击穿电压 VDD_zb IDD=10mA 30 32.5 35 V 频率 (FOSC) IC 最大频率 Freq_Max 55 60 65 KHz 频率抖动范围 △f/Freq +/-5 % 电流检测 (SENSE) 导通 LEB 时间 TLEB 500 ns 过流阈值 Vocp 980 1000 1020 mV 输入阻抗 ZSENSE 100 Kohm 软启动 T_sst 10 ms 恒流/恒压控制 (CC/CV) EA 的基准电压 Vref_EA 1.98 2 2.02 V EA 的直流增益 Gain 70 dB 最大输出线补偿电流 I_CMP_MAX FB=2V, CMP=0V 38 uA 采样端 LEB 时间 SLEB 2 us 功率 MOSFET MOSFET 漏源击穿电压 BVdss 600 V 导通电阻 Rdson Static, Id=0.5A 4.6 Ώ |
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