LD271 datasheet(3/5 Pages) SIEMENS

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LD 271, LD 271 H

LD 271 L, LD 271 HL

Semiconductor Group

1997-11-01

Kennwerte (

A = 25 °C)

Characteristics

Bezeichnung

Description

Symbol

Wert

Value

Einheit

Unit

Wellenlänge der Strahlung

Wavelength at peak emission

F = 100 mA, tp = 20 ms

peak

950

Spektrale Bandbreite bei 50 % von

max

Spectral bandwidth at 50 % of

max

F = 100 mA

∆λ

Abstrahlwinkel

Half angle

ϕ± 25

Grad

deg.

Aktive Chipfläche

Active chip area

0.25

mm2

Abmessungen der aktive Chipfläche

Dimensions of the active chip area

× B

× W

0.5

× 0.5

Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel

Distance chip front to lens top

4.0 ... 4.6

Schaltzeiten, I

e von 10 % auf 90 % und von

90 % auf 10 %, bei

F = 100 mA, RL = 50 Ω

Switching times, I

e from 10 % to 90 % and

from 90 % to 10 %,

F = 100 mA, RL = 50 Ω

r, tf

µs

Kapazität,

R = 0 V, f = 1 MHz

Capacitance

Durchlaßspannung

Forward voltage

F = 100 mA, tp = 20 ms

F = 1 A, tp = 100 µs

1.30

(≤ 1.5)

1.90

(≤ 2.5)

Sperrstrom,

R = 5 V

Reverse current

0.01

(≤ 1)µA

Gesamtstrahlungsfluß

Total radiant flux

F = 100 mA, tp = 20 ms

Temperaturkoeffizient von I

e bzw. Φe,

F = 100 mA

Temperature coefficient of I

e or Φe,

F = 100 mA

– 0.55

%/K

Temperaturkoeffizient von

F, IF = 100 mA

Temperature coefficient of

F, IF = 100 mA

– 1.5

mV/K

Temperaturkoeffizient von

λ, I

F = 100 mA

Temperature coefficient of

λ, I

F = 100 mA

TCλ

0.3

nm/K

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