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RM3272 Datasheet(PDF) 4 Page - Shaanxi Reactor Microelectronics Co., Ltd. |
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RM3272 Datasheet(HTML) 4 Page - Shaanxi Reactor Microelectronics Co., Ltd. |
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4 / 8 page ![]() 高效率高精度,PSR 充电器驱动芯片 RM3272D 规格书 RM3272D_Rev.1.0 www.reactor-micro.com - 4- 陕西亚成微电子股份有限公司 电气特性: (Ta=25℃,VDD= 16V) 符号 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 电源供应部分 ST DD I _ 启动电流 VDD=13V - 5 20 uA OP DD I _ 工作电流 INV=1.9V,CS=0V,VDD=16V - 2 3 mA UVLO(ON) VDD 关断电压 VDD 下降时 8.2 9.0 10.5 V UVLO(OFF) VDD 开启电压 VDD 上升时 13.5 14.5 16.0 V CLAMP DD V _ VDD 最大工作 电压 IDD=10mA 27 28.5 30 V Vovp 过压保护电压 增加 VDD 电压直到频率关断 26 27.5 29 V 电流检测输入部分 LEB T 前沿消隐时间 600 nS oc th V _ 过流保护 检测电压 870 900 930 mV oc D T _ 过流延迟 110 nS IN SENSE Z _ 输入阻抗 50 KΩ SS T 软启动时间 10 mS 频率振荡部分 Freq_Max IC 最大 工作频率 55 60 65 KHz Freq_Nom 正常工作频率 50 KHz Freq_startup INV=0,COMP=4.5V 14 KHz △f/Freq 抖频范围 ±5 % 误差放大部分 Vref_EA 反馈基准电压 1.98 2 2.02 V Gain 直流增益 60 dB I_Comp_Max 最大线补电流 INV=2V,COMP=0V 55 uA 功率 MOSFET 部分 BVdss 漏极与源极最 大击穿电压 VGS=0V,ID=250uA 650 V Rds(ON) 直流导通电阻 VGS=10V,ID=1.0A 5.5 Ω |
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