TP8305B datasheet(3/18 Pages) ASIC

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南京拓微集成电路有限公司

NanJing Top Power ASIC Corp.

REV_1.1

GND

EXT

VDD

Diode

4.7uH

NMOS

22uF

Vin

2V~4.2V

TP8305B

22uF

图 1 驱动 3 颗 WLED 的典型应用电路

方案 2：恒压、限流功能驱动负载方案。

双节干电池或锂电池作为输入，可驱动大功率负载，具有恒压输出且具有限流功能。

最大输出电压取决于 MOS 管耐压。典型应用电路如图 2 所示。恒压值由电阻 R1 与 Rf

比例以及 VFB 决定（VFB 值为固定 46mV）。具体设置参考下文说明。图中与 R1 并联的

电容为可选电容，主要作用是增加系统的瞬态响应，容值在 0.01~0.1uF 左右（根据 R1

与 Rf 的值有关）。

GND

EXT

VDD

Diode

4.7uH

NMOS

22uF

TP8305B

22uF

Vin

2V~4.2V

可选

图 2 恒压方案

方案 3：低输入电压，恒流、限流功能驱动 WLED 方案。

单节或双节干电池作为输入，可驱动单颗 WLED，具有恒流、限流以及输出过压保

护功能，输出最高电压取决于芯片的 VDD 过压保护点（5.8V）。典型应用电路如图 3 所

示。

TP8305B Datasheet(PDF) 3 Page - Billiton Ltd.