HM2011 datasheet(1/14 Pages) HMSEMI

Part #	HM2011

Description	4.7W Anti-cutting Mono Class D Audio Power Amplifier

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Manufacturer	HMSEMI [Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd]

Direct Link	http://www.hmsemi.com/

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HM2011

4.7W 防削顶 D 类音频功率放大器

4.7W防削顶单声道D类音频功率放大器

 特点

・防削顶失真功能

(Anti-Clipping Function, ACF)

・优异的全带宽

EMI抑制性能

・免滤波器数字调制，直接驱动扬声器

・输出功率

1.40W (VDD=3.6V, RL=4Ω, THD+N=10%)

2.80W (VDD=5.0V, RL=4Ω, THD+N=10%)

4.70W (VDD=6.5V, RL=4Ω, THD+N=10%)

・高信噪比

SNR：95dB (VDD = 6.5V, Av = 24dB,

THD+N = 1%)

・低静态电流

Input AC Grounded, Without Load

2.65mA (VDD=3.6V)

3.25mA (VDD=5.0V)

4.00mA (VDD=6.5V)

・低关断电流：＜

1µA (Input AC Grounded, Without

Load)

・过流保护及自动恢复功能

・过热保护功能

・欠压异常保护功能

・无铅无卤封装，

SOP8、SOP8-PP和WLCSP-9

 应用

・便携式音箱

・

USB音箱

・

iphone/ipod/MP3 docking

・平板电脑

・

PMP/MP4/MP5播放器

・导航仪

GPS

・便携式游戏机

・手机

・掌上电脑

PDAs

 概述

H

M2011是一款低EMI的，防削顶失真的，单声

道免滤波

D类音频功率放大器。在6.5V电源，10%

THD+N，4Ω负载条件下，输出4.7W功率，在各类音

频终端应用中维持高效率并提供

AB类放大器的性

能。

H

M2011的最大特点是防削顶失真（ACF）输出

控制功能，可检测并抑制由于输入音乐、语音信号幅

度过大所引起的输出信号削顶失真（破音），也能自

适应地防止在电池应用中由电源电压下降所造成的

输出削顶，显著提高音质，创造非常舒适的听音享受，

并保护扬声器免受过载损坏。同时芯片具有

ACF-Off

模式。

H

M2011具有独有的电磁辐射（EMI）抑制技术

和优异的全带宽低辐射性能，辐射水平在不加任何辅

助设计时仍远在

FCC Part15 Class B 标准之下，不

仅避免了干扰其他敏感电路还降低了系统设计难度。

H

M2011内部集成免滤波器数字调制技术，能够

直接驱动扬声器，并最大程度减小脉冲输出信号的失

真和噪音。输出无需滤波网络，极少的外部元器件节

省了系统空间和成本，是便携式应用的理想选择。

此外，

H

M2011内置的关断功能使待机电流最小

化，还集成了输出端过流保护、片内过温保护和电源

欠压异常保护等功能。

 典型应用图

CS

1µF

VDD

EMI抑制

＋

输出驱动

数字

PWM

调制器

前置

放大

ACF

数字控制

关断

控制

OCP

OTP

UVLO

载波

发生器

OUT+

OUT-

GND

CTRL

CB

1µF

BYPASS

IN+

IN-

CIN

0.1uF

CIN

0.1uF

单端

输入

H

M2011

RIN

12kΩ

RIN

12kΩ

1

2

3

4

6

5

8

7

RPD

S1

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