HM2011 datasheet(13/14 Pages) HMSEMI

Part #	HM2011

Description	4.7W Anti-cutting Mono Class D Audio Power Amplifier

PDF	14 Pages

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Manufacturer	HMSEMI [Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd]

Direct Link	http://www.hmsemi.com/

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（

3）差分输入，非固定模式应用，通过CTRL1和CTRL2电位实现ACF和 ACF-Off 灵活切换。

注

- 以上应用图中元件说明：

CIN：隔直电容，采用 0.1µF 或更小的（如 33nF），±10%的 CIN 来进一步消除咔嗒-噼噗声和从输入端耦

合进入的噪声。正负端两个

CIN 之间需具有良好的匹配性。

CS ：电源去耦电容，采用足够低 ESR（等效串联电阻）的电容（不小于 1µF）。当 RL=4Ω 或 VDD≥4.5V

时，为更好的滤除低频噪声，建议另加一个低

ESR 电容（不小于 10µF）。去耦电容离 VDD 管脚越近越好，

保持

3mm 之内。

CB ：BYPASS 端口输出 VDD/2 电压，通过电容 CB（1µF）接地以保证稳定性。

HM2011

4.7W 防削顶 D 类音频功率放大器

HM2011 Datasheet(PDF) 13 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd