HM2011 datasheet(3/14 Pages) HMSEMI

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 直流特性（

DC）

VSS=0V, VDD=2.5V~6.5V, Ta= -40ºC~85ºC, 除非特殊说明.

参数

符号

条件

最小值

典型值

最大值

单位

VDD电源的启动阈值

VUVLH

2.10

VDD电源的关断阈值

VUVLL

1.90

ACF 模式的设置阈值电压

VMOD1

1.20

VDD

ACF-Off 模式的设置阈值电压

VMOD2

0.40

0.80

0.90

SD 关断模式的设置阈值电压

VMOD3

VSS

0.20

静态电流

IDD

VDD=3.6V, Vin=0V,

No load

2.65

VDD=5.0V, Vin=0V,

No load

3.25

VDD=6.5V, Vin=0V,

No load

4.00

关断电流

ISD

CTRL=VSS, Ta=25℃

0.01

µA

BYPASS端电压值

VBYPASS

VDD/2

注

5: H

M2011启动时CTRL端电压须大于0.80V。

 模拟特性*6

VSS=0V, VDD =5V, Av=23.5dB, Ta=25ºC, CIN=1uF, RIN=12 kΩ, ACF-Off模式, 除非特殊说明.

参数

符号

条件

最小值

典型值

最大值

单位

输出功率

RL=4Ω, VDD=3.6V

f=1kHz,

THD+N=1%

1.10

RL=4Ω, VDD=5.0V

2.30

RL=8Ω, VDD=3.6V

0.70

RL=8Ω, VDD=5.0V

1.40

RL=4Ω, VDD=3.6V

f=1kHz,

THD+N=10%

1.40

RL=4Ω, VDD=5.0V

2.80

RL=8Ω, VDD=3.6V

0.85

RL=8Ω, VDD=5.0V

1.70

总谐波失真加噪声

THD+N

RL=4Ω, PO=1W, f=1kHz

0.08

输出噪声

f=20Hz~20kHz, A加权, Av=23.5dB

µVrms

信噪比

SNR

A加权, Av=23.5dB,THD+N = 1%

电源抑制比

PSRR

f=1kHz

-70

效率

RL=4Ω+22uH, THD+N = 1%

RL=8Ω+33uH, THD+N = 1%

输出失调电压

VOS

±6

系统增益

Av0

RIN=12 kΩ

23.5

ACF衰减增益

-10

HM2011

4.7W 防削顶 D 类音频功率放大器

HM2011 Datasheet(PDF) 3 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

HM2011 Datasheet(HTML) 3 Page - Shenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

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