TP4056 datasheet(11/17 Pages) ASIC

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南京拓微集成电路有限公司

TP4056

局以最大幅度地增加可使用的充电电流，这一

点非常重要。用于耗散

IC 所产生的热量的散热

通路从芯片至引线框架，并通过底部的散热片

到达

PC 板铜面。PC 板铜面为散热器。散热片

相连的铜箔面积应尽可能地宽阔，并向外延伸

至较大的铜面积，以便将热量散播到周围环境

中。至内部或背部铜电路层的通孔在改善充电

器的总体热性能方面也是颇有用处的。当进行

PC 板布局设计时，电路板上与充电器无关的其

他热源也是必须予以考虑的，因为它们将对总

体温升和最大充电电流有所影响。

增加热调节电流

降低内部

MOSFET 两端的压降能够显著减

少

IC 中的功耗。在热调节期间，这具有增加输

送至电池的电流的作用。对策之一是通过一个

外部元件（例如一个电阻器或二极管）将一部

分功率耗散掉。

实例：通过编程使一个从

5V 交流适配器获

得工作电源的

TP4056 向一个具有 3.75V 电压的

放电锂离子电池设置为

800mA 的满幅充电电

流。假设 JA

 为 125℃/W，则在 25℃的环境温度

条件下，充电电流近似为：

145

768

3.75 ) 125 /

BAT

C W

  









通过降低一个与

5V 交流适配器串联的电阻器

两端的电压（如图

3 所示），可减少片上功耗，

从而增大热调整的充电电流：

145

(

)

BAT

BAT CC

BAT

I R



  







图

3：一种尽量增大热调节模式充节电流

的电路

利用二次方程可求出

BAT

。

(145

)

(

)

(

)

BAT

C T

V V



 





取

RCC=0.25Ω、VS=5V、VBAT=3.75V、TA=25℃

且

℃

125

JA 



，我们可以计算出热调整的

充电电流：

IBAT＝948mA,结果说明该结构可以在

更高的环境温度下输出

800MA 满幅充电.

虽然这种应用可以在热调整模式中向电池

输送更多的能量并缩短充电时间，但在电压模

式中，如果

VCC 变得足够低而使 TP4056 处于低

压降状态，则它实际上有可能延长充电时间。

图

4 示出了该电路是如何随着 RCC 的变大而导

致电压下降的。

当为了保持较小的元件尺寸并避免发生

压降而使

RCC 值最小化时，该技术能起到最佳的

作用。请牢记选择一个具有足够功率处理能力

的电阻器。

CC 旁路电容器

输入旁路可以使用多种类型的电容器。然

而，在采用多层陶瓷电容器时必须谨慎。由于

有些类型的陶瓷电容器具有自谐振和高 Q 值的

特点，因此，在某些启动条件下（比如将充电

器输入与一个工作中的电源相连）有可能产生

高的电压瞬态信号。增加一个与 X5R 陶瓷电容

器串联的 1.5Ω电阻器将最大限度地减小启动

电压瞬态信号。

TP4056 Datasheet(PDF) 11 Page - Billiton Ltd.

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